一种相变薄膜基底衍生复合固态电解质及其制备与应用

    公开(公告)号:CN117317359A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310978717.2

    申请日:2023-08-04

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种相变薄膜基底衍生复合固态电解质及其制备与应用,所述复合固态电解质制备包括以下步骤:(1)将有机相变材料通过气相沉积在聚合物薄膜上,得到致密的相变薄膜材料;(2)将聚氧化乙烯溶解均匀,再加入锂盐并磁力搅拌充分溶解,得到混合溶液;(3)将混合溶液均匀倒在步骤(1)得到的相变薄膜材料的表面并进行热压处理,将得到的透明薄膜烘干,得到相变薄膜基底衍生复合固态电解质。与现有技术相比,本发明具有等使用寿命长、可靠性高、离子传输速率高等优点。

    钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法

    公开(公告)号:CN108134055B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201711172675.4

    申请日:2017-11-22

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法,将Ti3AlC2粉末缓慢加入到氢氟酸溶液中,然后进行搅拌加热,反应完成后冷却、洗涤、超声、冷冻干燥,得到的二维层状的Ti3C2加入到一定浓度的强碱溶液中,在磁力搅拌下进行常温溶液相反应,再经过洗涤,离心,真空干燥,即为钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物。本发明制备方法简单,可控性强,形貌新颖,尺寸分布均匀,结构稳定,重复性好,而且钛酸钠原位生长在碳化钛纳米片上,两者之间有着良好的电接触,有利于快速的电子转移。将其作为锂离子电池和钠离子电池的电极材料表现出良好的电化学性能。

    一种制备硫包覆硒的中空纳米管的方法

    公开(公告)号:CN108807877A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810419960.X

    申请日:2018-05-04

    Applicant: 同济大学

    CPC classification number: H01M4/366 B82Y40/00 H01M4/38 H01M10/052

    Abstract: 本发明涉及一种制备硫包覆硒的中空纳米管的方法,将硒粉与亚硫酸钠溶于水中,控温搅拌形成均匀的硒代亚硫酸钠溶液,然后加入到含有非离子型表面活性剂的溶液中,超声,陈化后,通过离心洗涤的方式得到六方晶系的硒纳米管,将硒纳米管溶于稀盐酸中超声处理,将升华硫溶于乙二胺中形成硫胺溶液,缓慢滴入上述溶液,在密闭条件下剧烈搅拌,过滤,用水和乙醇清洗后转移至干燥箱干燥,即为产品。与现有技术相比,本发明制备得硫包覆硒的中空纳米管直径约为500纳米左右,长度约为5‑10微米,晶化良好,重复性好,可应用于锂硫电池等储能方面,是一种优良的储能材料。

    气液界面法制备磷酸银二维有序纳米网薄膜及其方法

    公开(公告)号:CN105601266B

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201510947234.1

    申请日:2015-12-16

    Applicant: 同济大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明涉及气液界面制备磷酸银二维有序纳米网薄膜及其方法,通过聚苯乙烯球在气‑液界面形成有序单层自组装膜,转移硝酸银水溶液的液面上,通过还原性气体的缓慢释放,在聚苯乙烯球模板表面包覆银纳米微晶,其在大面积呈二维有序纳米网结构,再转移至过氧化氢反应液中,通过原位置换反应得到磷酸银‑聚苯乙烯二维有序结构,最后在甲苯溶液浸泡去除聚苯乙烯模板。本发明制备的磷酸银二维有序纳米网薄膜中膜的厚度均匀,晶化度良好,长程有序性好,可以大面积制备,其光催化降解有机染料的催化性能优于同比条件下的磷酸银单晶材料,将其作为超级电容器电极发现其具有良好的循环性能,在光催化以及超级电容器领域都有很好的应用。

    一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法

    公开(公告)号:CN106984334A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710146654.9

    申请日:2017-03-13

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法,包括钛基底上氢氧化钴纳米带的合成、钛基底上四氧化三钴纳米带的制备、钛基底上二硫化钴纳米带的制备等步骤,制备得到钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构。与现有技术相比,本发明简单易行,重复性好,得到的二硫化钴纳米带形貌新颖,均匀分布在钛基底表面,结构稳定,而且与钛基底牢固接触,有利于电子传输和界面反应。本产品可直接作为二维电极材料,广泛应用于电催化领域,具有优异的电解水产氢性能。

    一种制造金纳米阵列超微电极的方法

    公开(公告)号:CN102590302B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201110006643.3

    申请日:2011-01-13

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种制造金纳米阵列超微电极的方法,用氧化还原液相法制备表面长有金纳米锥阵列的金微米片,作为超微电极的敏感探头,将上述制备的表面长有金纳米锥阵列的金微米片用导电银胶粘接固定在一根直径为几十微米的金丝尖端的盘状面上。将金丝跟铜丝焊接后,穿入到拉制好的玻璃毛细管中,铜丝一端的毛细管用环氧树脂封好,露出的铜丝作为工作电极的引线;将金丝一端的毛细管熔封,使仅暴露合适尺寸的金丝。与现有技术相比,本发明制备金纳米阵列超微电极的方法简单易行,成本低,且可方便实现微电极活性端头(表面长有金纳米锥阵列二级结构的金微米片)的低成本更换,有望在痕量物质检测及细胞信号检测等重要领域发现很好的应用。

    对硫化氢具有高灵敏响应特性的氧化铜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103303963A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310236949.7

    申请日:2013-06-14

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及对硫化氢具有高灵敏响应特性的氧化铜材料的制备方法,在水溶液中,通过适当配比反应物(铜盐与碱)的比例辅以合适的反应温度来得到一种同时具有大孔(3~4μm)、介孔(5~30nm)及微孔(1.0~2.2nm)三种孔的高级结构氧化铜材料。与现有技术相比,本发明首次得到了同时具有三级孔结构的氧化铜,这种多级孔结构使该材料对目标气体具有高灵敏度的响应性能,本发明制备多级孔结构氧化铜的方法具有成本低,可重复性好,可放量生产的优点,在高性能气体传感器件的制造生产及其它环境检测领域有良好的应用前景。

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