钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法

    公开(公告)号:CN108321388A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201810026458.2

    申请日:2018-01-11

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法,配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液,投入干净钛片,经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列;将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护,得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好,得到的产物结构稳定,能够均匀且坚固地分布在钛片表面,可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中,同时经电解水测试,发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性,而且有望进一步促进其在储能、光催化等领域的性能提升,扩展其应用范围。

    一种二硫化钼插层材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108054359B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201711286874.8

    申请日:2017-12-07

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼插层材料的制备方法,(1)将钼酸钠、硫代乙酰胺混合并加入溶剂溶解;(2)对步骤(1)的混合溶液加热进行溶剂热反应;(3)将步骤(2)得到的产物冷却后离心洗涤;(4)取线性高分子对步骤(3)中获得的产品进行超声混匀插层后,然后转移至冻干机冷冻干燥;(5)将步骤(4)中的样品置于管式炉中煅烧,制备得到二硫化钼插层材料。本发明制备的二硫化钼/碳异质结材料,碳链在层间和片间的支撑,不仅提供了层间活性位点,而且为片间离子传输提供了快捷通道,同时还大大提高了二硫化钼的导电性,使得每个片层都能有效储能,用于超级电容器中具有比容量高、循环性能好、结构稳定等特点,是一种优良的储能材料。

    一种二硫化钼插层材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108054359A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711286874.8

    申请日:2017-12-07

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼插层材料的制备方法,(1)将钼酸钠、硫代乙酰胺混合并加入溶剂溶解;(2)对步骤(1)的混合溶液加热进行溶剂热反应;(3)将步骤(2)得到的产物冷却后离心洗涤;(4)取线性高分子对步骤(3)中获得的产品进行超声混匀插层后,然后转移至冻干机冷冻干燥;(5)将步骤(4)中的样品置于管式炉中煅烧,制备得到二硫化钼插层材料。本发明制备的二硫化钼/碳异质结材料,碳链在层间和片间的支撑,不仅提供了层间活性位点,而且为片间离子传输提供了快捷通道,同时还大大提高了二硫化钼的导电性,使得每个片层都能有效储能,用于超级电容器中具有比容量高、循环性能好、结构稳定等特点,是一种优良的储能材料。

    钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法

    公开(公告)号:CN108134055B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201711172675.4

    申请日:2017-11-22

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法,将Ti3AlC2粉末缓慢加入到氢氟酸溶液中,然后进行搅拌加热,反应完成后冷却、洗涤、超声、冷冻干燥,得到的二维层状的Ti3C2加入到一定浓度的强碱溶液中,在磁力搅拌下进行常温溶液相反应,再经过洗涤,离心,真空干燥,即为钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物。本发明制备方法简单,可控性强,形貌新颖,尺寸分布均匀,结构稳定,重复性好,而且钛酸钠原位生长在碳化钛纳米片上,两者之间有着良好的电接触,有利于快速的电子转移。将其作为锂离子电池和钠离子电池的电极材料表现出良好的电化学性能。

    一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法

    公开(公告)号:CN106984334A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201710146654.9

    申请日:2017-03-13

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法,包括钛基底上氢氧化钴纳米带的合成、钛基底上四氧化三钴纳米带的制备、钛基底上二硫化钴纳米带的制备等步骤,制备得到钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构。与现有技术相比,本发明简单易行,重复性好,得到的二硫化钴纳米带形貌新颖,均匀分布在钛基底表面,结构稳定,而且与钛基底牢固接触,有利于电子传输和界面反应。本产品可直接作为二维电极材料,广泛应用于电催化领域,具有优异的电解水产氢性能。

    钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法

    公开(公告)号:CN108321388B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201810026458.2

    申请日:2018-01-11

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法,配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液,投入干净钛片,经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列;将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护,得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好,得到的产物结构稳定,能够均匀且坚固地分布在钛片表面,可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中,同时经电解水测试,发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性,而且有望进一步促进其在储能、光催化等领域的性能提升,扩展其应用范围。

    一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法

    公开(公告)号:CN106984334B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201710146654.9

    申请日:2017-03-13

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构的合成方法,包括钛基底上氢氧化钴纳米带的合成、钛基底上四氧化三钴纳米带的制备、钛基底上二硫化钴纳米带的制备等步骤,制备得到钛片基底上二硫化钴纳米带组装结构。与现有技术相比,本发明简单易行,重复性好,得到的二硫化钴纳米带形貌新颖,均匀分布在钛基底表面,结构稳定,而且与钛基底牢固接触,有利于电子传输和界面反应。本产品可直接作为二维电极材料,广泛应用于电催化领域,具有优异的电解水产氢性能。

    钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法

    公开(公告)号:CN108134055A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711172675.4

    申请日:2017-11-22

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物的合成方法,将Ti3AlC2粉末缓慢加入到氢氟酸溶液中,然后进行搅拌加热,反应完成后冷却、洗涤、超声、冷冻干燥,得到的二维层状的Ti3C2加入到一定浓度的强碱溶液中,在磁力搅拌下进行常温溶液相反应,再经过洗涤,离心,真空干燥,即为钛酸钠纳米带/碳化钛纳米片复合物。本发明制备方法简单,可控性强,形貌新颖,尺寸分布均匀,结构稳定,重复性好,而且钛酸钠原位生长在碳化钛纳米片上,两者之间有着良好的电接触,有利于快速的电子转移。将其作为锂离子电池和钠离子电池的电极材料表现出良好的电化学性能。

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