Invention Grant
- Patent Title: 一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用
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Application No.: CN202010563211.1Application Date: 2020-06-19
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Publication No.: CN111850695BPublication Date: 2021-11-09
- Inventor: 张弛 , 吴超 , 林霖
- Applicant: 同济大学
- Applicant Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Assignee: 同济大学
- Current Assignee: 同济大学
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Agency: 上海科盛知识产权代理有限公司
- Agent 刘燕武
- Priority: 2020101710766 20200312 CN
- Main IPC: C30B29/46
- IPC: C30B29/46 ; C30B7/10 ; G02F1/355
Abstract:
本发明涉及一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用，该晶体材料的化学式为Lu3F(SeO3)4，属于三方晶系，空间群为P63，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2。与现有技术相比，本发明制备的化合物Lu3F(SeO3)4在1064nm激光照射下，其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)晶体的2.5倍，且在该频率的激光照射下可以实现相位匹配，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
Public/Granted literature
- CN111850695A 一种氟代亚硒酸镥倍频晶体及其制备和应用 Public/Granted day:2020-10-30
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