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公开(公告)号：CN102779533A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210251569.6
申请日：2012-07-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，具体公开了一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法，本发明的相变温度可调的FeRhPt复合薄膜，包括单晶MgO基板以及其上的（FeRh）100-XPtX合金薄膜，其中x的取值范围为0
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公开(公告)号：CN102779533B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210251569.6
申请日：2012-07-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，具体公开了一种相变温度可调的FeRhPt复合薄膜及其制备方法，本发明的相变温度可调的FeRhPt复合薄膜，包括单晶MgO基板以及其上的（FeRh）100-XPtX合金薄膜，其中x的取值范围为0
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公开(公告)号：CN102568745B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110418872.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种电沉积铁钴软磁薄膜的电化学制备方法，属于软磁合金领域。本发明的铁钴软磁薄膜的制备，以石墨板作为阳极，铜片作为阴极，铁的硫酸盐和钴的硫酸盐作为主盐，将基体进行预处理后放置于pH已调至1-5、温度控制为室温—60℃的电镀液中，在恒温电磁搅拌条件下，通过直流稳压电源提供电流进行电镀，镀层厚度通过施镀温度和时间来控制。该铁钴软磁性薄膜具有制备工艺简单、成本低廉、反应条件温和可控以及制备效率高等优点。
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公开(公告)号：CN102800333A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210251543.1
申请日：2012-07-19
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及磁记录材料领域，具体涉及一种具有垂直取向、磁性能优良、颗粒尺寸小于10纳米且颗粒间交换耦合作用较小的FePt/X纳米复合薄膜及其制备方法；该FePt/X纳米复合薄膜包括基底、取向为（200）的MgO诱导层、以及在MgO诱导层上交替沉积的多层FePt薄膜和X薄膜，X选自Ag、MgO、C、SiO2或Al2O3；其制备为采用MgO作为诱导层，实现FePt磁性层的外延生长以及垂直取向；并通过退火，诱发FePt/X薄膜完成L10FePt相的有序化，形成颗粒结构的纳米复合薄膜。本发明具有制备方法简单、成本低、产品性能好等优点，适合应用于超高密度垂直磁记录介质的生产。
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公开(公告)号：CN102568745A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110418872.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种电沉积铁钴软磁薄膜的电化学制备方法，属于软磁合金领域。本发明的铁钴软磁薄膜的制备，以石墨板作为阳极，铜片作为阴极，铁的硫酸盐和钴的硫酸盐作为主盐，将基体进行预处理后放置于pH已调至1-5、温度控制为室温—60℃的电镀液中，在恒温电磁搅拌条件下，通过直流稳压电源提供电流进行电镀，镀层厚度通过施镀温度和时间来控制。该铁钴软磁性薄膜的制备工艺简单、成本低廉、反应条件温和可控以及制备效率高等优点。
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