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公开(公告)号:CN106024966A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610363130.0
申请日:2016-05-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。按紫外光线入射方向,从下至上依次为:石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80~110nm;在该薄膜中,Ti与Ir的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构。制作多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜材料,可以在Ir,Pd纳米粒子和TiO2三种材料优良性质的基础之上,通过调节掺杂Ir,Pd纳米粒子的量,更好的提升复合材料性能,从而提高器件在紫外探测领域的能力,使新型紫外探测器具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN107359217B
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201710568283.3
申请日:2017-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种快速响应紫外光探测器及其制备方法,属于半导体光电探测器技术领域。从下到上由石英片衬底、Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体、在该有源层基体上制备的Au插指电极组成,待测的紫外光从石英片衬底底部入射。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2溶胶,并在石英衬底上依次制备TiO2薄膜、蒸镀Ag NPs、制备TiO2薄膜,得到Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体材料;接着进行光刻、磁控溅射、剥离金属在薄膜表面形成插指图案的Au电极。本发明制备的快速响应紫外光探测器采用的工艺简单,而且Ag和TiO2资源丰富,易于大规模生产,能够实现对波长250~350nm的紫外光的优良检测。
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公开(公告)号:CN106024966B
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201610363130.0
申请日:2016-05-27
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测技术领域。按紫外光线入射方向,从下至上依次为:石英片衬底、多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80~110nm;在该薄膜中,Ti与Ir的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ir‑Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构。制作多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜材料,可以在Ir,Pd纳米粒子和TiO2三种材料优良性质的基础之上,通过调节掺杂Ir,Pd纳米粒子的量,更好的提升复合材料性能,从而提高器件在紫外探测领域的能力,使新型紫外探测器具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN115411192A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211107891.1
申请日:2022-09-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于铁电钙钛矿PbTiO3/TiO2的快速响应恢复型紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。其从下到上由石英衬底、PbTiO3铁电材料薄膜、TiO2薄膜、Au叉指电极组成,PbTiO3铁电材料薄膜和TiO2薄膜组成PbTiO3/TiO2复合异质结光敏感层,其厚度为200~300nm;待测的紫外光从石英衬底一侧入射。本发明通过铁电钙钛矿材料和传统半导体材料构建复合异质结,铁电材料所具有的退极化场可以增加电子和空穴的分离以及运输效率,同时能大大减弱电子空穴对在分离后产生的复合效应,有效提高器件内部载流子的迁移效率,降低传统半导体材料的暗电流,并提升其响应恢复特性。
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公开(公告)号:CN107359217A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710568283.3
申请日:2017-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/0324 , H01L31/035209 , H01L31/18
Abstract: 一种快速响应紫外光探测器及其制备方法,属于半导体光电探测器技术领域。从下到上由石英片衬底、Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体、在该有源层基体上制备的Au插指电极组成,待测的紫外光从石英片衬底底部入射。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2溶胶,并在石英衬底上依次制备TiO2薄膜、蒸镀Ag NPs、制备TiO2薄膜,得到Ag NPs内部修饰的纳米TiO2薄膜有源层基体材料;接着进行光刻、磁控溅射、剥离金属在薄膜表面形成插指图案的Au电极。本发明制备的快速响应紫外光探测器采用的工艺简单,而且Ag和TiO2资源丰富,易于大规模生产,能够实现对波长250~350nm的紫外光的优良检测。
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