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公开(公告)号：CN101074984A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710055802.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高压霍尔效应测量装置和测量方法属于高压下的测量方法技术领域。测量装置包括在两颗金刚石压砧中间放置的铼材料的垫片1，钛合金材料的压机6，在压机与金刚石对顶砧之间放置的钢材的摇床9，电磁铁5；一颗金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积有四条相互绝缘的电极3和氧化铝保护层4；电极3在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔2内，电极3在侧面的端头裸露，并且接有电极引线10。选取范德堡方法、使用现有的霍尔自动测试系统进行霍尔效应测量。本发明解决了高压下霍尔效应的测量装置和测量方法，为高压下样品的物理性质等研究开辟了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN1082099C
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN99104646.3
申请日：1999-05-08
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si3N4或Mo，其表面蒸镀SiO2或Mo作掩膜，经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝CVD方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺，选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长，适于在微电子领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN1235206A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99104646.3
申请日：1999-05-08
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Si3N4或Mo,其表面蒸镀SiO2或Mo作掩膜,经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝CVD方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺,选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长,适于在微电子领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN111208402B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010050055.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法属于半导体自旋电子学技术领域。具体步骤包括：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；将步骤样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；利用反弱局域化测量得到Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。本发明提供的调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法可行性高，而且可以原位进行，不需要制备新的样品，能够分别实现两种参数的独立调控，调控效果显著。
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公开(公告)号：CN112113991A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011028664.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本发明的一种非局域电阻式核磁共振测量方法属于自旋电子学技术领域，主要步骤包括：将非局域测量用二维电子气霍尔条形样品置于带有试样旋转台的低温恒温器中，形成具有磁畴结构的量子霍尔铁磁态；针对量子霍尔铁磁态进行非局域电阻测量、据获得的量子霍尔铁磁态电阻峰与倾角关系图谱对该量子态进行电阻式核磁共振测量、依据所获核磁共振图谱对量子霍尔铁磁态进行核自旋弛豫时间T1和核自旋退相干时间T2测量。本发明通过非局域测量构型的引入，实现了小电流下的动态核极化，从而确保所测量子态始终处于平衡态，所测量子态非局域电阻比正常测量电阻小2个数量级，将电阻式核磁共振测量精度提高了1个数量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101900762A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010229648.8
申请日：2010-07-19
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明的高压条件下物质磁电阻率的测量方法属物理量测量的技术领域。在基于范德堡法电阻测量的金属电极(13)的金刚石对顶砧上进行测量；有设备组装、调节磁场、磁场强度的原位测量和磁电阻率的测量等测试步骤。所使用的金刚石对顶砧的其中一颗金刚石压砧(1)上有沉积的金属膜电极(13)，压机(5)和垫片(4)均为无磁材料，只有摇床(2)为钢制材料。本发明主要解决了以下几个关键因素，取得了精确测量样品在高压条件下的磁致电阻效应的技术效果：创建非磁性测量环境；为样品提供空间上的均匀磁场；消除引线电阻和接触电阻的影响；所用的电极可以承受高压力而不易被切断；可以对样品腔内的磁场强度进行原位测量。
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公开(公告)号：CN1409410A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02132902.8
申请日：2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/072 , H01L29/737 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n－型氧化锌/p－型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p－n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p－型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p－型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n－型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p－型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源；金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜；氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现，而且本发明的异质结具有良好的伏－安特性、光学透明性和抗高温特性；电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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公开(公告)号：CN111208402A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010050055.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法属于半导体自旋电子学技术领域。具体步骤包括：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；将步骤样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；利用反弱局域化测量得到Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。本发明提供的调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法可行性高，而且可以原位进行，不需要制备新的样品，能够分别实现两种参数的独立调控，调控效果显著。
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公开(公告)号：CN100570392C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710055802.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高压霍尔效应测量装置和测量方法属于高压下的测量方法技术领域。测量装置包括在两颗金刚石压砧中间放置的铼材料的垫片1，钛合金材料的压机6，在压机与金刚石对顶砧之间放置的钢材的摇床9，电磁铁5；一颗金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积有四条相互绝缘的电极3和氧化铝保护层4；电极3在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔2内，电极3在侧面的端头裸露，并且接有电极引线10。选取范德堡方法、使用现有的霍尔自动测试系统进行霍尔效应测量。本发明解决了高压下霍尔效应的测量装置和测量方法，为高压下样品的物理性质等研究开辟了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN1192691C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02132456.5
申请日：2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～2500，溅射电极材料过程中衬底温度保持在240～400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小，可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤，延长使用寿命。
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