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公开(公告)号：CN1409410A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02132902.8
申请日：2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/072 , H01L29/737 , H01L31/18 , H01L21/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n－型氧化锌/p－型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p－n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p－型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p－型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n－型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p－型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源；金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜；氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现，而且本发明的异质结具有良好的伏－安特性、光学透明性和抗高温特性；电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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公开(公告)号：CN1192691C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02132456.5
申请日：2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～2500，溅射电极材料过程中衬底温度保持在240～400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小，可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN1396801A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02132456.5
申请日：2002-06-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属在高压实验装置——金刚石对顶砧上集成金属电极的方法。经清洗(1)、溅射电极材料(2)、涂胶(3)、光刻(4)、腐蚀金属(5)、去胶(6)以及引线工艺过程制得钨或铬或钛的金属电极。电极材料(2)厚度为1000～2500A，溅射电极材料过程中衬底温度保持在240～400℃。光刻(4)过程是保留需要集成电极部位的光刻胶(9)，而其余的地方光刻胶(9)被去掉。腐蚀金属(5)是指用光刻腐蚀剂去掉未被光刻胶(9)掩盖的电极材料。本发明能保证电极在砧面上有足够的附着力。电极厚度小，可消除由应力产生的电极崩裂现象。可避免高温对金刚石的损伤，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN1203558C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02132902.8
申请日：2002-09-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备属一种透明p-n结及其制备方法。以金刚石单晶为衬底(5)，工艺过程包括衬底的清洗(10)、p-型金刚石单晶薄膜的沉积(11)、p-型金刚石单晶薄膜的化学处理(12)、金刚石薄膜的欧姆电极制作(13)、n-型氧化锌多晶薄膜(3)的选择性沉积(14)、氧化锌薄膜的欧姆电极的制作(15)。沉积p-型金刚石单晶薄膜(1)时放置硼源；金刚石薄膜的欧姆电极(2)是顺序沉积的钛、钼、金薄膜；氧化锌薄膜的欧姆电极(4)是金膜。本发明的制备工艺简单易于实现，而且本发明的异质结具有良好的伏-安特性、光学透明性和抗高温特性；电极的欧姆接触性能好并且牢固。
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