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公开(公告)号：CN101074493B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710055496.2
申请日：2007-04-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B29/46
Abstract: 本发明的一种合成CdSe和CdTe纳米晶的方法属于半导体纳米晶合成方法技术领域。工艺过程分为Se或Te溶液的制备、Cd溶液的制备和纳米晶的合成。Se或Te溶液的制备是，将Se粉或Te粉与三辛基磷混合搅拌1-3小时；Cd溶液的制备是，将CdO粉、油酸和苯基醚装入容器，在氩气或氮气气氛下搅拌并加热使形成透明的Cd溶液；纳米晶的合成是，在注射温度130-250℃下将Se或Te溶液注射进Cd溶液，同时降温至生长温度100-220℃合成0.2-300分钟，本发明的方法能够制得更多尺寸的超小的CdSe和CdTe纳米晶；纳米晶的缺陷少、热稳定性好。本发明在科学研究中和实际应用上具有很大的潜力。
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公开(公告)号：CN100570392C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710055802.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高压霍尔效应测量装置和测量方法属于高压下的测量方法技术领域。测量装置包括在两颗金刚石压砧中间放置的铼材料的垫片1，钛合金材料的压机6，在压机与金刚石对顶砧之间放置的钢材的摇床9，电磁铁5；一颗金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积有四条相互绝缘的电极3和氧化铝保护层4；电极3在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔2内，电极3在侧面的端头裸露，并且接有电极引线10。选取范德堡方法、使用现有的霍尔自动测试系统进行霍尔效应测量。本发明解决了高压下霍尔效应的测量装置和测量方法，为高压下样品的物理性质等研究开辟了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN101302033A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810050879.5
申请日：2008-06-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压105～103Pa下制得产品。所述的蒸发源还可以掺杂其他元素或化合物。本发明通过改变具体工艺条件，获得具有多种形貌、尺寸、结构的ZnO产物。使用本发明的还原剂，相对以石墨为还原剂时反应温度可降低100～500℃。本发明对于富氧环境或/和高温下易氧化或易变质的衬底上，可在较低的温度下生长ZnO微米/纳米结构。
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公开(公告)号：CN101074984A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710055802.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的高压霍尔效应测量装置和测量方法属于高压下的测量方法技术领域。测量装置包括在两颗金刚石压砧中间放置的铼材料的垫片1，钛合金材料的压机6，在压机与金刚石对顶砧之间放置的钢材的摇床9，电磁铁5；一颗金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积有四条相互绝缘的电极3和氧化铝保护层4；电极3在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔2内，电极3在侧面的端头裸露，并且接有电极引线10。选取范德堡方法、使用现有的霍尔自动测试系统进行霍尔效应测量。本发明解决了高压下霍尔效应的测量装置和测量方法，为高压下样品的物理性质等研究开辟了一条有效的途径。
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公开(公告)号：CN101302033B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200810050879.5
申请日：2008-06-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压105～103Pa下制得产品。所述的蒸发源还可以掺杂其他元素或化合物。本发明通过改变具体工艺条件，获得具有多种形貌、尺寸、结构的ZnO产物。使用本发明的还原剂，相对以石墨为还原剂时反应温度可降低100～500℃。本发明对于富氧环境或/和高温下易氧化或易变质的衬底上，可在较低的温度下生长ZnO微米/纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102275986A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110139108.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的不同晶型二氧化钛纳米带的可控水热制备方法属于纳米材料制备的技术领域。将TiO2纳米粉分散于NaOH水溶液中，在170～190℃下进行水热反应；将得到的白色产物置于HCl溶液中进行离子交换，用去离子水洗去过量的盐酸再烘干得到氢钛酸；将氢钛酸在400℃下煅烧，得到TiO2纳米带。通过分散于NaOH溶液中TiO2纳米粉的量控制最终产物是纯锐钛矿相、锐钛矿和TiO2-B混晶、以及纯TiO2-B相的TiO2纳米带。本发明通过单一的调节反应物的添加量实现了调控产物形貌和晶型的目的；工艺简单、可控性强、成本低廉、环境友好，制得的产物作为光催化材料、锂电池电极材料将会得到应用。
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公开(公告)号：CN1762603A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510017120.3
申请日：2005-09-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的提取半导体胶体纳米晶的方法及其提取工具属于液体的密封传输方法领域。本发明的方法是在无氧无水和氩气或氮气保护的schlenk系统中进行的，系统由三颈瓶1构成，三个颈是保护气体充气口4、塞有颈口胶塞3的提液口2和温控口5；使用一端带尖的弯曲的提样管10，用其尖端穿刺颈口胶塞3；再将尖端插到高温反应溶液7液面之下，半导体胶体纳米晶随溶液被自动压进装有冷却液的样品瓶8内。本发明的提样方法操作简单、提高工作效率和节约成本；能自动清洗提样管，能研究纳米晶的成核过程；样品没有丝毫的暴露在空气中；样品会在不到1秒的时间内被压进样品瓶和扑灭反应；每次提取出来的样品的单分散性好。
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公开(公告)号：CN100545646C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710055801.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明的用于电学量原位测量的金刚石对顶砧及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积氧化铝绝热层1、2～4条相互绝缘的电极4、氧化铝保护层6；每条电极4的分布是自金刚石压砧的砧面到侧面，电极4在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔3内，电极4在侧面的端头裸露，并且接有电极引线5。氧化铝绝热层1、电极4、保护层6依次利用薄膜沉积技术和光刻手段集成到金刚石压砧上。本发明设计的绝热层和电极，有效的防止了热量的散失，显著减小了样品腔内的温度梯度，从而实现高温高压下电学量的测量，并使测量准确性得到保证。
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公开(公告)号：CN101509947A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200810051718.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石对顶砧上原位电学测量的电极及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧(8)表面沉积4条电极(1)，分布是自金刚石压砧(8)的砧面到侧面；电极(1)是掺杂硼的金刚石膜；金刚石绝缘层(2)覆盖在金刚石压砧(8)的砧面、侧面和电极(1)上，电极(1)在砧面的端头裸露，裸露位置在样品腔(9)内，电极(1)在侧面的端头裸露，接有电极引线(5)。利用薄膜沉积技术、纳米引晶技术、掩膜技术和光刻手段将金刚石薄膜微电路和金刚石绝缘层同时集成到金刚石压砧表面上。本发明防止了横向剪切力对电极的破坏，克服了高压条件下样品对电极的腐蚀，从而拓宽了高压下电学量原位测量的研究领域。
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公开(公告)号：CN101078703A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710055801.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明的用于电学量原位测量的金刚石对顶砧及其制作方法属于高温高压装置的技术领域。在金刚石压砧的砧面和侧面顺次沉积氧化铝绝热层1、2～4条相互绝缘的电极4、氧化铝保护层6；每条电极4的分布是自金刚石压砧的砧面到侧面，电极4在砧面的端头裸露，并且位置在金刚石对顶砧的样品腔3内，电极4在侧面的端头裸露，并且接有电极引线5。氧化铝绝热层1、电极4、保护层6依次利用薄膜沉积技术和光刻手段集成到金刚石压砧上。本发明设计的绝热层和电极，有效的防止了热量的散失，显著减小了样品腔内的温度梯度，从而实现高温高压下电学量的测量，并使测量准确性得到保证。
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