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公开(公告)号：CN115533737B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211512812.5
申请日：2022-11-30
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种化学机械研磨方法及系统，属于半导体制造技术领域。所述研磨方法包括：提供一待研磨衬底；获取相似产品的研磨数据，包括研磨时间和衬底图案密度；依据所述研磨数据，获取目标研磨参数数据，所述目标研磨参数数据包括研磨时间与衬底图案密度的相关斜率和研磨修正因子；获取研磨速率数据，所述研磨速率数据包括当前研磨速率与研磨耗材初始研磨速率的倍数；依据所述目标研磨参数数据和所述研磨速率数据，获取目标研磨时间，所述目标研磨时间包括所述待研磨衬底在第一研磨平台或第二研磨平台上的研磨时间；依据所述目标研磨时间，对所述待研磨衬底进行研磨。本发明提供的一种化学机械研磨方法及系统，可提高衬底的研磨质量。
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公开(公告)号：CN115609469A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211512915.1
申请日：2022-11-30
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105 , H01L21/67 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法。该研磨时间的修正方法及系统中，首先获取前道研磨平台研磨第一晶圆的第一研磨时间设定值、前道研磨平台研磨第二晶圆的第二研磨时间设定值以及第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间，然后计算第二研磨时间设定值与第一研磨时间设定值之差获得第一时间差，计算第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间与第二研磨时间设定值之差获得第二时间差，且根据前道研磨平台的预定去除厚度和当下研磨速率、以及第一和第二时间差，计算出前道研磨平台研磨第三晶圆的研磨时间设定值。如此可以实现研磨时间的自动修正且提高研磨设备的产能。隔离结构的制作方法包括研磨时间的修正方法。
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公开(公告)号：CN117855254B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410263407.7
申请日：2024-03-08
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在衬底上形成多个伪栅极，伪栅极上设置硬掩膜层；在第二区域上形成应力区后，第二区域上的硬掩膜层的厚度小于第一区域上的硬掩膜层的厚度；在衬底、硬掩膜层和伪栅极的侧壁上形成第一停止层和第一介电层；减薄并刻蚀第一介电层后，第一介电层的表面低于或平齐于伪栅极的表面；在第一介电层和第一停止层上形成第二停止层和第二介电层；以衬底上的第二停止层为停止层，进行研磨，直至伪栅极与两侧的第二停止层齐平；去除伪栅极，形成金属栅极。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN117855254A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263407.7
申请日：2024-03-08
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在衬底上形成多个伪栅极，伪栅极上设置硬掩膜层；在第二区域上形成应力区后，第二区域上的硬掩膜层的厚度小于第一区域上的硬掩膜层的厚度；在衬底、硬掩膜层和伪栅极的侧壁上形成第一停止层和第一介电层；减薄并刻蚀第一介电层后，第一介电层的表面低于或平齐于伪栅极的表面；在第一介电层和第一停止层上形成第二停止层和第二介电层；以衬底上的第二停止层为停止层，进行研磨，直至伪栅极与两侧的第二停止层齐平；去除伪栅极，形成金属栅极。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN115609469B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211512915.1
申请日：2022-11-30
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/3105 , H01L21/67 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法。该研磨时间的修正方法及系统中，首先获取前道研磨平台研磨第一晶圆的第一研磨时间设定值、前道研磨平台研磨第二晶圆的第二研磨时间设定值以及第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间，然后计算第二研磨时间设定值与第一研磨时间设定值之差获得第一时间差，计算第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间与第二研磨时间设定值之差获得第二时间差，且根据前道研磨平台的预定去除厚度和当下研磨速率、以及第一和第二时间差，计算出前道研磨平台研磨第三晶圆的研磨时间设定值。如此可以实现研磨时间的自动修正且提高研磨设备的产能。隔离结构的制作方法包括研磨时间的修正方法。
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公开(公告)号：CN115533737A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211512812.5
申请日：2022-11-30
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种化学机械研磨方法及系统，属于半导体制造技术领域。所述研磨方法包括：提供一待研磨衬底；获取相似产品的研磨数据，包括研磨时间和衬底图案密度；依据所述研磨数据，获取目标研磨参数数据，所述目标研磨参数数据包括研磨时间与衬底图案密度的相关斜率和研磨修正因子；获取研磨速率数据，所述研磨速率数据包括当前研磨速率与研磨耗材初始研磨速率的倍数；依据所述目标研磨参数数据和所述研磨速率数据，获取目标研磨时间，所述目标研磨时间包括所述待研磨衬底在第一研磨平台或第二研磨平台上的研磨时间；依据所述目标研磨时间，对所述待研磨衬底进行研磨。本发明提供的一种化学机械研磨方法及系统，可提高衬底的研磨质量。
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