公开(公告)号：CN118919537A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411415963.8

申请日：2024-10-11

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 朱海龙 ,  王文轩 ,  肖宇鸿 ,  陈朋 ,  邱昌文

IPC分类号： H01L27/092 ,  H10N97/00 ,  H01L21/8238

摘要： 本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：包括衬底和介电层；衬底包括器件区和外围区；器件区包括间隔排布的至少两个晶体管；外围区包括电阻结构；介电层位于衬底顶面，至少两个晶体管的栅极结构贯穿介电层；电阻结构贯穿介电层；电阻结构包括导电结构，以及位于导电结构的底面与衬底之间且具有预设阻值的电阻器；预设阻值与导电结构的阻抗值之和大于预设阈值；导电结构与栅极结构的栅导电层的至少部分在相同的工艺步骤中同步制备而成。本申请有利于在形成阻值可调节的电阻结构的前提下，提高接触孔的填孔能力、缩短电流的流通路径，从而提高半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN118099162B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410471758.7

申请日：2024-04-19

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 朱海龙 ,  李韦坤 ,  王文轩 ,  肖宇鸿 ,  陈朋

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，衬底包括器件区和非器件区，且非器件区的衬底的表面低于器件区的衬底表面；金属栅极，设置在器件区上；电阻结构，设置在非器件区上，且电阻结构的高度与金属栅极的高度齐平，电阻结构包括多晶硅分部和金属分部，金属分部设置在多晶硅分部上，且金属分部与金属栅极同步获得；介质层，设置在衬底上，且覆盖金属栅极和电阻结构；以及栓塞结构，设置在介质层内，且至少设置在金属栅极和电阻结构上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的工艺整合度，并提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN118099162A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410471758.7

申请日：2024-04-19

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 朱海龙 ,  李韦坤 ,  王文轩 ,  肖宇鸿 ,  陈朋

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，衬底包括器件区和非器件区，且非器件区的衬底的表面低于器件区的衬底表面；金属栅极，设置在器件区上；电阻结构，设置在非器件区上，且电阻结构的高度与金属栅极的高度齐平，电阻结构包括多晶硅分部和金属分部，金属分部设置在多晶硅分部上，且金属分部与金属栅极同步获得；介质层，设置在衬底上，且覆盖金属栅极和电阻结构；以及栓塞结构，设置在介质层内，且至少设置在金属栅极和电阻结构上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的工艺整合度，并提高半导体器件的性能。