本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：衬底，衬底包括器件区和非器件区，且非器件区的衬底的表面低于器件区的衬底表面；金属栅极，设置在器件区上；电阻结构，设置在非器件区上，且电阻结构的高度与金属栅极的高度齐平，电阻结构包括多晶硅分部和金属分部，金属分部设置在多晶硅分部上，且金属分部与金属栅极同步获得；介质层，设置在衬底上，且覆盖金属栅极和电阻结构；以及栓塞结构，设置在介质层内，且至少设置在金属栅极和电阻结构上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的工艺整合度，并提高半导体器件的性能。