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公开(公告)号：CN115295684B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211219843.1
申请日：2022-10-08
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法，采用射频磁控溅射法依次沉积硒化锑和硒化亚铜双层预制层，分别控制溅射功率和沉积时间调节硒化锑和硒化亚铜预制层的厚度，使其成分富锑；之后进行真空退火，使预制层中的硒化亚铜和硒化锑充分反应生成铜锑硒，并提高结晶性，最终生成结晶性良好的铜锑硒薄膜。本发明制备方法由于使用磁控溅射顺序沉积工艺，适合流水线生产大面积太阳能电池，且生产过程清洁环保，为铜锑硒薄膜太阳能电池的产业化探索了一条可行之路。
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公开(公告)号：CN115172611A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210875707.1
申请日：2022-07-25
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种高效太阳能电池中钙钛矿薄膜表面钝化的方法，是以含噻吩‑2‑甲脒氢碘酸(ThFAI)的DMF溶液对钙钛矿太阳能电池掩埋层进行修饰，通过在空穴传输层PTAA上旋涂含噻吩‑2‑甲脒氢碘酸的DMF溶液，然后采用一步法制备钙钛矿层。含噻吩‑2‑甲脒氢碘酸的DMF溶液能有效地提高钙钛矿溶液在PTAA空穴传输层上的湿润性，从而有利于钙钛矿溶液在PTAA致密层上更好的铺展，进而获得更大晶粒尺寸缺陷浓度更少的钙钛矿薄膜，最终获得更高光电性能的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN106128772B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201610567332.7
申请日：2016-07-18
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种硫化铅量子点光伏电池的制备方法，首先将厚度为2～20微米的宽带隙氧化物薄膜浸润在乙酸铅、亚硫酸钠和缓释剂氨三乙酸三钠的混合溶液中，在避光、5～50℃下静置10～120分钟；其次，将所获薄膜依次浸润在阳离子源和阴离子源两种前驱液中，浸润时间为0.5～5分钟，重复该步骤1～8次；最后，将上述制备所得光电极与多硫电解质和硫化亚铜对电极结合组装成量子点太阳能电池。本发明可以在宽带隙氧化物薄膜上制备获得尺寸均一、分布均匀的PbS量子点，从而在保证宽光谱吸收的同时，能够改善电荷传输特性、提高电荷收集效率，制备获得高效稳定的量子点太阳能电池器件。
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公开(公告)号：CN104966618B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510470503.X
申请日：2015-07-31
申请人： 合肥工业大学
CPC分类号： Y02E10/542
摘要： 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法，其特征在于：是以稀土掺杂上转换发光材料与TiO2的复合材料作为光阳极材料；制备时，首先以将稀土掺杂上转换发光材料与二氧化钛进行物理混合，获得掺杂β‑NaYF4:Er3+,Yb3+的TiO2浆料；然后采用丝网印刷法将浆料印刷于FTO导电玻璃上并煅烧，形成β‑NaYF4:Er3+,Yb3+@TiO2复合材料光阳极薄膜；最后吸附染料，即获得光阳极。以本发明的光阳极制备的电池具有高的开路电压和短路电流密度，得到电池的效率可达9％以上，效率比纯二氧化钛提高了55％以上，且制备工艺简单，重复性良好，成本低廉，还可以用于光催化、光敏感材料等领域。
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公开(公告)号：CN105957720A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610567371.7
申请日：2016-07-18
申请人： 合肥工业大学
CPC分类号： H01G9/2054 , H01G9/2027 , H01G9/2031
摘要： 本发明公开了一种可调谐宽光谱响应的复合量子点敏化光电极的制备方法，采用连续离子层吸附与反应法，以一定摩尔浓度(0.01～1M)的阳离子源(Pb2+、Cd2+和Zn2+甲醇溶液)和阴离子源(S2‑甲醇/水混合溶液)为前驱液，在膜厚为2～20微米的宽带隙氧化物多孔薄膜上，依次沉积适量的(Pb,Cd)S、CdS、ZnS量子点，制备复合量子点敏化光电极。本方法可通过调节阳离子源中Cd2+和Pb2+的摩尔浓度比调谐光谱响应；且CdS将有效钝化PbS量子点表面缺陷态以抑制载流子复合。本发明的复合量子点敏化光电极能够实现可调谐宽光谱响应、快速电荷传输以及高效电荷收集，从而获得高性能量子点光伏器件。
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公开(公告)号：CN118335839A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410438720.X
申请日：2024-04-12
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种环境友好型超薄太阳能电池的全真空快速沉积工艺。本发明利用磁控溅射法制备TiO2电子传输层薄膜，利用近空间升华法在TiO2衬底上沉积高质量硫化锑吸收层薄膜。该方法优势在于：(1)所有功能层均采用全真空工艺制备，确保了薄膜的均匀性、重复性以及良好的结晶性；(2)利用TiO2的宽带隙(～3.2eV)、无毒性和优异的稳定性代替传统CdS电子传输层，实现了环境友好型硫化锑薄膜太阳能电池的制备；(3)相对于传统溶液法，全真空快速沉积工艺具有优异的便捷性和高利用率特性，具备实现高通量制备和大规模工业化的潜力。器件结构自下而上依次为导电玻璃/TiO2电子传输层/硫化锑吸收层/背电极。
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公开(公告)号：CN117766405A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311777075.6
申请日：2023-12-22
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L21/363 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/068 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/20 , C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法，利用三源共蒸发沉积工艺在柔性基板上制备光吸收层铜锑硒，使得铜锑硒薄膜的制备方法更加简单高效，薄膜的结晶质量高、且太阳能电池可弯曲。本发明从控制蒸发源温度，衬底温度和蒸发时间出发，调节薄膜厚度与铜、锑、硒比例，通过控制温度曲线，保持第二阶段锑源与硒源的持续蒸发，维持锑和硒的蒸气氛围，从而减少薄膜中锑和硒的流失，使得柔性基板上的铜锑硒薄膜的结晶性更好。本发明在柔性基板上得到结晶性较好的铜锑硒薄膜，并制备出柔性铜锑硒太阳能电池，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115161610B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211089623.1
申请日：2022-09-07
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/58 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，采用先溅射金属预制层后硒化的方法。磁控溅射提高了成膜均匀性，同时控制溅射功率和沉积时间易于调节金属预制层的厚度和成分，使其成分富锑；之后进行了金属预制层的合金化和硒化，先将金属预制层在真空管式炉内退火，使其形成合金，之后再在双温区管式炉内进行硒蒸气热处理，对金属预制层进行硒化，最终生成结晶性良好的铜锑硒薄膜。本发明的制备方法不仅解决了化学计量比的铜锑硒薄膜难以制备的问题，也提高了薄膜均匀性和结晶性，为制备铜锑硒薄膜太阳能电池打下了基础。
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公开(公告)号：CN110556479B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910861880.4
申请日：2019-09-12
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种二氧化锡(SnO2)基介孔钙钛矿太阳能电池及其制备方法，器件结构自下而上依次为导电衬底、SnO2致密层、SnO2介孔层、TiO2钝化层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极。本发明还提供了一种SnO2基介孔钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明中SnO2具有比传统电子传输材料TiO2更高的电子迁移速率且化学性能稳定，有利于电子传输及器件稳定性提升；TiO2钝化层将有效钝化SnO2表面缺陷态，减少电荷复合，提高器件光电转换性能。本发明所制备SnO2基介孔钙钛矿太阳能电池对于提高光电转换效率和稳定性、推动钙钛矿太阳能电池的产业化进程具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113097392B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110345745.1
申请日：2021-03-31
申请人： 合肥工业大学
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的晶界钝化方法，首先利用操作简单的室温溶液反应合成纳米级尺寸的C6H6NNaO6Pb量子点；然后在一步法制备钙钛矿薄膜过程中，将所合成的量子点均匀分散于反溶剂中，使量子点在钙钛矿薄膜内部均匀分布，以实现钙钛矿晶界钝化。本发明能够有效降低钙钛矿晶界缺陷态密度，改善钙钛矿薄膜质量，从而获得高效稳定的钙钛矿太阳能电池。该制备方法工艺简单、成本低廉，在研制高性能钙钛矿太阳能电池方面具有良好的应用前景。
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