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公开(公告)号：CN116397200A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310671686.6
申请日：2023-06-08
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C14/58 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法，采用磁控溅射法依次沉积钼、铜，形成钼/铜叠层衬底，之后单源热蒸发沉积Sb2Se3，使Sb2Se3和铜衬底直接反应生成CuSbSe2薄膜。本方法主要优势如下：（1）适合柔性衬底CuSbSe2电池的卷对卷流水线生产工艺；（2）单源热蒸发，一步生成CuSbSe2薄膜，简化了多源共蒸发的传统生产工艺，并且大幅降低了设备成本；（3）生成的CuSbSe2薄膜结晶性好，均匀致密。
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公开(公告)号：CN117766405A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311777075.6
申请日：2023-12-22
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L21/363 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/068 , C23C14/24 , C23C14/54 , C23C14/20 , C23C14/06
摘要： 本发明公开了一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法，利用三源共蒸发沉积工艺在柔性基板上制备光吸收层铜锑硒，使得铜锑硒薄膜的制备方法更加简单高效，薄膜的结晶质量高、且太阳能电池可弯曲。本发明从控制蒸发源温度，衬底温度和蒸发时间出发，调节薄膜厚度与铜、锑、硒比例，通过控制温度曲线，保持第二阶段锑源与硒源的持续蒸发，维持锑和硒的蒸气氛围，从而减少薄膜中锑和硒的流失，使得柔性基板上的铜锑硒薄膜的结晶性更好。本发明在柔性基板上得到结晶性较好的铜锑硒薄膜，并制备出柔性铜锑硒太阳能电池，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117637920A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667136.3
申请日：2023-12-07
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749
摘要： 本发明公开了一种柔性铜锑硒薄膜太阳能电池的制备方法，采用柔性玻璃衬底，电池光吸收层采用对环境较为友好的乙二醇甲醚‑巯基乙酸溶液体系制备，其他层均采用传统的制备方法制备。该方法将柔性衬底与溶液法结合，不仅有效地实现了铜锑硒薄膜太阳能电池的柔性发展，同时通过铜源与锑源的含量精确调控吸收层中铜锑的比例，有效提升了电池的器件性能。
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公开(公告)号：CN116397200B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310671686.6
申请日：2023-06-08
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C14/58 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0392
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒光吸收层的钼铜叠层衬底单源热蒸发制备方法，采用磁控溅射法依次沉积钼、铜，形成钼/铜叠层衬底，之后单源热蒸发沉积Sb2Se3，使Sb2Se3和铜衬底直接反应生成CuSbSe2薄膜。本方法主要优势如下：（1）适合柔性衬底CuSbSe2电池的卷对卷流水线生产工艺；（2）单源热蒸发，一步生成CuSbSe2薄膜，简化了多源共蒸发的传统生产工艺，并且大幅降低了设备成本；（3）生成的CuSbSe2薄膜结晶性好，均匀致密。
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公开(公告)号：CN116377396B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310658825.1
申请日：2023-06-06
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层的双源共蒸发制备方法，属于铜锑硒太阳能电池技术领域。操作步骤如下：在多源热蒸发镀膜系统的真空腔室中，采用两个阶段的共蒸发镀膜；第一阶段，将硒化亚铜的束源炉、硒化锑的束源炉和镀钼玻璃升温，并保持恒定，使三者同时达到目标温度；在镀钼玻璃的表面同时蒸发沉积硒化亚铜和硒化锑；第二阶段，停止蒸发硒化亚铜，继续保持原温度蒸发硒化锑；温度降至室温，得到厚度为1000nm的铜锑硒薄膜。本发明提高了真空腔室的内部洁净度，在较低的衬底温度下即可获得结晶性较好的铜锑硒薄膜，简化了共蒸发制备工艺，增加了铜锑硒薄膜沉积后的热退火处理工艺而获得较好的薄膜结晶性。
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公开(公告)号：CN116377396A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310658825.1
申请日：2023-06-06
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/06 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0445
摘要： 本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层的双源共蒸发制备方法，属于铜锑硒太阳能电池技术领域。操作步骤如下：在多源热蒸发镀膜系统的真空腔室中，采用两个阶段的共蒸发镀膜；第一阶段，将硒化亚铜的束源炉、硒化锑的束源炉和镀钼玻璃升温，并保持恒定，使三者同时达到目标温度；在镀钼玻璃的表面同时蒸发沉积硒化亚铜和硒化锑；第二阶段，停止蒸发硒化亚铜，继续保持原温度蒸发硒化锑；温度降至室温，得到厚度为1000nm的铜锑硒薄膜。本发明提高了真空腔室的内部洁净度，在较低的衬底温度下即可获得结晶性较好的铜锑硒薄膜，简化了共蒸发制备工艺，增加了铜锑硒薄膜沉积后的热退火处理工艺而获得较好的薄膜结晶性。
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