- 专利标题: 一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法
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申请号: CN202211219843.1申请日: 2022-10-08
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公开(公告)号: CN115295684B公开(公告)日: 2023-04-18
- 发明人: 万磊 , 陈盈杰 , 王金明 , 周儒 , 毛小丽 , 牛海红 , 王欢
- 申请人: 合肥工业大学
- 申请人地址: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 专利权人: 合肥工业大学
- 当前专利权人: 合肥工业大学
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
- 代理机构: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 乔恒婷
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L21/02 ; H01L31/032 ; C23C14/06 ; C23C14/54 ; C23C14/58
摘要:
本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法,采用射频磁控溅射法依次沉积硒化锑和硒化亚铜双层预制层,分别控制溅射功率和沉积时间调节硒化锑和硒化亚铜预制层的厚度,使其成分富锑;之后进行真空退火,使预制层中的硒化亚铜和硒化锑充分反应生成铜锑硒,并提高结晶性,最终生成结晶性良好的铜锑硒薄膜。本发明制备方法由于使用磁控溅射顺序沉积工艺,适合流水线生产大面积太阳能电池,且生产过程清洁环保,为铜锑硒薄膜太阳能电池的产业化探索了一条可行之路。
公开/授权文献
- CN115295684A 一种铜锑硒太阳能电池光伏吸收层薄膜的制备方法 公开/授权日:2022-11-04
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