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公开(公告)号：CN107369625A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710528905.X
申请日：2017-07-01
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种DBC基板的制造方法，该方法包括：（1）将第一铜片和第二铜片表面清洗，使用碱性溶液除油，再用酸性溶液除去表面氧化层；（2）所述陶瓷基材表面使用碱性溶液清洗；（3）对第一铜片和第二铜片进行氧化处理并形成氧化层；（4）将第一铜片、第二铜片与陶瓷基材贴合并放置在承烧板后同时对第一铜片、第二铜片和陶瓷基材进行烧结处理。这种制造方法适用于特殊规格的DBC基板制造，特别是陶瓷基材的厚度≤0.38毫米、铜片厚度≥0.4毫米的组合，这种制造方法能有效避免常规制造过程中陶瓷碎裂的问题，提高DBC基板的制造率，降低双面分开烧结时不匹配应力造成的局部大泡、表面融化、铜面晶粒增大等问题，提高产品性能，同时节约工艺成本。
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公开(公告)号：CN113606935B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110871999.7
申请日：2021-07-30
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
摘要： 本发明陶瓷覆铜板技术领域，公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧；保证了铜片氧化环境的稳定，使铜片表面氧化膜厚度均一。
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公开(公告)号：CN112638046A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011564291.9
申请日：2020-12-25
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：S1：在清洗去除氧化物、油污后的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干制备线路，陶瓷覆铜板可一次性也可分步依次经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱，速度为0.3～1.5m/min；S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；S5：印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后UV全板曝光；S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，依次经蚀刻、退膜、水洗、烘干工序，过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min。
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公开(公告)号：CN116013865A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211532043.5
申请日：2022-12-01
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/13 , H01L23/049 , H01L21/48
摘要： 本发明属于陶瓷覆铜板外壳制造技术领域，尤其是一种功率器件模块用覆铜氮化硅管壳及其制备方法。本发明管壳包括壳底板和环形焊框，环形焊框围设于壳底板的顶部；壳底板由下至上依次为第一铜片、绝缘基板和第二铜片，绝缘基板上设有若干通孔，通孔内填充有连接第一铜片和第二铜片的导线柱。本发明通过采用陶瓷覆铜板作为外壳底板板，介质材料为氮化硅陶瓷基板，具有导热率高、绝缘耐压大、耐热等优点，且满足封装小型化、大电流和高导热需求。
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公开(公告)号：CN117497491A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311461933.6
申请日：2023-11-02
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/053 , H01L21/48
摘要： 本发明属于陶瓷管壳技术领域，尤其是一种无焊料陶瓷金属管壳及其制备方法。本发明管壳包括陶瓷覆铜板和金属环框，陶瓷覆铜板的表面镀银层，金属环框通过银层与陶瓷覆铜板固接。本发明陶瓷覆铜板采用局部镀银工艺，基板铜层与镀银高温下的固溶实现环框与基板的焊接，省去了常规工艺必要的银铜焊片、省去银铜焊片和焊片的装架过程。
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公开(公告)号：CN112638046B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202011564291.9
申请日：2020-12-25
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：S1：在清洗去除氧化物、油污后的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干制备线路，陶瓷覆铜板可一次性也可分步依次经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱，速度为0.3～1.5m/min；S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；S5：印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后UV全板曝光；S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，依次经蚀刻、退膜、水洗、烘干工序，过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min。
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公开(公告)号：CN115745625A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211540656.3
申请日：2022-12-02
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64
摘要： 本发明属于陶瓷基板制造技术领域，尤其是一种高导热氮化硅基板及其制备方法。本发明基板由流延后的氮化硅生瓷片依次经过排胶工艺和烧结工艺制得，基板中的氧原子百分比为0～0.01％。通过排胶工艺变化精确控制排胶过程中的碳原子百分比，通过烧结过程中的压力变化精确控制相转变、氧原子百分比组成，进而实现高导热高强度氮化硅基板的制备。
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公开(公告)号：CN113606935A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110871999.7
申请日：2021-07-30
申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司
摘要： 本发明陶瓷覆铜板技术领域，公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧；保证了铜片氧化环境的稳定，使铜片表面氧化膜厚度均一。
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