公开(公告)号：CN115172176B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202211082049.7

申请日：2022-09-06

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 钟永辉 ,  苗冠男 ,  徐佩峰 ,  魏四飞 ,  方军 ,  曾辉 ,  史常东

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H01L23/26 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552

摘要： 一种陶瓷基板及其制备方法、微波器件及其封装外壳结构。陶瓷基板制备方法包括：采用HTCC工艺制备信号屏蔽通孔被导体材料填充的陶瓷板材，将陶瓷板材研磨至设定厚度作为陶瓷基板，在陶瓷基板上打孔作为信号传输通孔；在陶瓷基板上依次溅射钛层和钯层；然后遮挡预设的吸氢区，未遮挡区域为蚀刻区；在蚀刻区镀铜直至铜导体填充信号传输通孔，然后在镀设的铜层上采用电镀或者溅射的方式依次形成镍层和金层。本发明中在陶瓷基板上预留了仅附着有钛层和钯层的吸氢区，如此可通过钛与氢反应实现自主吸氢，避免氢元素腐蚀元件。本发明避免了烘烤氢及外贴吸氢剂的不良。

公开(公告)号：CN113594101B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202110815098.6

申请日：2021-07-19

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 曾辉 ,  钟永辉 ,  方军 ,  耿春磊 ,  史常东

IPC分类号： H01L23/06 ,  H01L23/04 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种金属封装外壳及其制作方法，包括金属外壳本体，所述金属外壳本体底部平面上阵列式设置有若干通孔，所述通孔内设置有铜柱，所述金属外壳本体内部设置铜柱的底面上设置有LTCC基板电路，所述金属外壳本体的材料为钛合金，所述铜柱的材料为无氧铜，所述通孔为阵列式排布，阵列式排布的通孔所占区域的面积大于LTCC基板电路的面积。本发明通过采用TC4钛合金外壳本体上阵列式镶嵌高热导率无氧铜材料铜柱的结构使得本发明的钛合金封装外壳热膨胀系数与内部电路的匹配，可靠性高，且密度低、重量轻、成本低；本发明的制备方法的钎焊参数设置使得钎焊时铜柱与钛合金金属外壳本体的通孔之间焊缝强度高。

公开(公告)号：CN107369625A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710528905.X

申请日：2017-07-01

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 张振文 ,  詹俊 ,  崔嵩 ,  许海仙 ,  张浩 ,  史常东

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种DBC基板的制造方法，该方法包括：（1）将第一铜片和第二铜片表面清洗，使用碱性溶液除油，再用酸性溶液除去表面氧化层；（2）所述陶瓷基材表面使用碱性溶液清洗；（3）对第一铜片和第二铜片进行氧化处理并形成氧化层；（4）将第一铜片、第二铜片与陶瓷基材贴合并放置在承烧板后同时对第一铜片、第二铜片和陶瓷基材进行烧结处理。这种制造方法适用于特殊规格的DBC基板制造，特别是陶瓷基材的厚度≤0.38毫米、铜片厚度≥0.4毫米的组合，这种制造方法能有效避免常规制造过程中陶瓷碎裂的问题，提高DBC基板的制造率，降低双面分开烧结时不匹配应力造成的局部大泡、表面融化、铜面晶粒增大等问题，提高产品性能，同时节约工艺成本。

公开(公告)号：CN113606935B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202110871999.7

申请日：2021-07-30

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 许海仙 ,  张振文 ,  张洋 ,  史常东

IPC分类号： F27B9/24 ,  F27B9/30 ,  F27B9/36 ,  F27B9/38 ,  F27B9/40

摘要： 本发明陶瓷覆铜板技术领域，公开了一种提高铜片氧化层均匀性的氧化炉，包括：炉体，包括分别设置在炉体两端的进料口和出料口，进料口和出料口处设置有密封气帘；传送带，用于输送铜片，由进料口到出料口贯穿炉体；多个热电偶，正对传送带安装在炉体内，且沿传送带输送方向依次排布；供氧管道；多个弥散气盒，沿传送带输送方向在炉体内排布，分别与供氧管道连通且在连通处设置有用于控制炉体内气体浓度、流速、流向的气阀；测温热电偶和测氧仪，设置在弥散气盒靠近传送带的一侧；保证了铜片氧化环境的稳定，使铜片表面氧化膜厚度均一。

公开(公告)号：CN113727543B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202111027884.6

申请日：2021-09-02

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 袁小意 ,  田晨光 ,  钟永辉 ,  方军 ,  曾辉 ,  史常东

IPC分类号： H05K5/00 ,  H05K5/02 ,  C04B35/582 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及电子元器件气密性封装领域，具体涉及一种电子元器件用陶瓷金属封装外壳及陶瓷材料的制备方法。包括底板、焊接在底板上的绝缘片和设置在绝缘片四周并焊接在底板上的可伐环框，其特征在于，可伐环框连接引线的一侧设置窗口，窗口内设置陶瓷板，陶瓷板上开设与引线数量相适配的通孔，若干根引线分别穿过通孔进入封装外壳内部；陶瓷板为改性氮化铝陶瓷板。本发明采用陶瓷板的结构代替原有陶瓷珠绝缘子，陶瓷板加工简单，可实现自动化操作。改性的氮化铝陶瓷兼顾了高导热和高热膨胀系数，可提高封装外壳的安全性能。

公开(公告)号：CN113727543A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111027884.6

申请日：2021-09-02

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 袁小意 ,  田晨光 ,  钟永辉 ,  方军 ,  曾辉 ,  史常东

IPC分类号： H05K5/00 ,  H05K5/02 ,  C04B35/582 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及电子元器件气密性封装领域，具体涉及一种电子元器件用陶瓷金属封装外壳及陶瓷材料的制备。包括底板、焊接在底板上的绝缘片和设置在绝缘片四周并焊接在底板上的可伐环框，其特征在于，可伐环框连接引线的一侧设置窗口，窗口内设置陶瓷板，陶瓷板上开设与引线数量相适配的通孔，若干根引线分别穿过通孔进入封装外壳内部；陶瓷板为改性氮化铝陶瓷板。本发明采用陶瓷板的结构代替原有陶瓷珠绝缘子，陶瓷板加工简单，可实现自动化操作。改性的氮化铝陶瓷兼顾了高导热和高热膨胀系数，可提高封装外壳的安全性能。

公开(公告)号：CN112638046A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011564291.9

申请日：2020-12-25

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 许海仙 ,  朱家旭 ,  张振文 ,  孙敦龙 ,  史常东

IPC分类号： H05K3/02 ,  H05K3/06 ,  H05K3/12

摘要： 本发明公开了一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：S1：在清洗去除氧化物、油污后的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干制备线路，陶瓷覆铜板可一次性也可分步依次经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱，速度为0.3～1.5m/min；S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；S5：印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后UV全板曝光；S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，依次经蚀刻、退膜、水洗、烘干工序，过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min。

公开(公告)号：CN107546131B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201710677677.2

申请日：2017-08-09

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 钟永辉 ,  方军 ,  曾辉 ,  丁小聪 ,  史常东

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明提供一种用于封装电子组件的金属外壳的制作方法，其中所述金属外壳包括金属外壳主体以及金属外壳本体的底板上嵌合的金刚石铜热沉板，所述电子组件安装在所述金刚石铜热沉板上，所述金属外壳主体与金刚石铜热沉板之间采用钎焊连接。本发明所采用的金刚石铜热沉板，其热膨胀系数低、密度低、热导率高，在保证与电子组件的热膨胀系数匹配的同时保证了高效的散热能力，避免了金属外壳电子组件因工作环境温度过高而失效，满足了大功率元器件对金属外壳的散热需求，金属外壳主体与金刚石铜热沉板使用镀镍处理，并两者之间使用钎焊方式连接，其中镍与银铜共晶焊料价格比较低，节约金属外壳的制作成本。

公开(公告)号：CN107546131A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710677677.2

申请日：2017-08-09

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 钟永辉 ,  方军 ,  曾辉 ,  丁小聪 ,  史常东

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明提供一种用于封装电子组件的金属外壳的制作方法，其中所述金属外壳包括金属外壳主体以及金属外壳本体的底板上嵌合的金刚石铜热沉板，所述电子组件安装在所述金刚石铜热沉板上，所述金属外壳主体与金刚石铜热沉板之间采用钎焊连接。本发明所采用的金刚石铜热沉板，其热膨胀系数低、密度低、热导率高，在保证与电子组件的热膨胀系数匹配的同时保证了高效的散热能力，避免了金属外壳电子组件因工作环境温度过高而失效，满足了大功率元器件对金属外壳的散热需求，金属外壳主体与金刚石铜热沉板使用镀镍处理，并两者之间使用钎焊方式连接，其中镍与银铜共晶焊料价格比较低，节约金属外壳的制作成本。

公开(公告)号：CN106431419A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610839445.8

申请日：2016-09-22

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 张浩 ,  崔嵩 ,  党军杰 ,  郭军 ,  刘俊永 ,  史常东

IPC分类号： C04B35/582 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/9607

摘要： 本发明提供一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：配料：称取高纯度氮化铝粉体，氧化钇烧结助剂，有机溶剂以及添加剂，并混合均匀；生坯制备：采用流延成型与等静压工艺相结合的方法获得生坯；脱脂：使用氢气/氮气混合气氛，脱脂温度400～1000℃；烧结：温度1750～1950℃，烧结时间3～40h。本发明采用单一氧化钇烧结助剂、规模化流延、脱脂过程使用氢气/氮气混合气氛能够有效的控制脱脂后生坯中的碳和氧元素含量、常压烧结，所得氮化铝陶瓷热导率180W/m.K～268W/m.K，工艺简单、产品性能好、生产成本低、易产业化。