公开(公告)号：CN115745625A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211540656.3

申请日：2022-12-02

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 周泽安 ,  胡竹松 ,  许海仙 ,  张博 ,  朱家旭 ,  张振文 ,  张洋 ,  张浩

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

摘要： 本发明属于陶瓷基板制造技术领域，尤其是一种高导热氮化硅基板及其制备方法。本发明基板由流延后的氮化硅生瓷片依次经过排胶工艺和烧结工艺制得，基板中的氧原子百分比为0～0.01％。通过排胶工艺变化精确控制排胶过程中的碳原子百分比，通过烧结过程中的压力变化精确控制相转变、氧原子百分比组成，进而实现高导热高强度氮化硅基板的制备。

公开(公告)号：CN112608154A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011584664.9

申请日：2020-12-28

申请人： 合肥圣达电子科技实业有限公司

发明人： 张博 ,  许海仙 ,  张浩 ,  党军杰 ,  史常东

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/645

摘要： 本发明公开了一种氮化硅陶瓷浆料及其制备方法和应用，包括：氮化硅原料粉体、烧结助剂、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和流平剂，所述氮化硅粉体比表面积为0.2～5m2/g；所述浆料中氮化硅原料粉体、烧结助剂、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和流平剂的质量比为1：0.01～0.05：1～1.3：0.01～0.03：0.1～0.2：0.07～0.2：0.005～0.1。本发明通过在低沸点溶剂中添加适当流平剂，优化了浆料的表面张力，配合低沸点的溶剂，使得浆料在应用能快速实现干燥，对流延机的长度要求低，生瓷片表面平滑，厚度一致性高；配合干燥时多段温度曲线控制、刮刀高度控制，结合等静压处理，制得平整、均一、高密度且厚度可控的陶瓷素坯，有利于后期素坯成型加工及烧结。