公开(公告)号：CN222840007U

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202421410249.5

申请日：2024-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许胜福 ,  陈世范 ,  李陈毅 ,  陈品辰 ,  黄麟淯

IPC: H10D89/60 ,  H02H9/00 ,  H02H9/04 ,  H02H7/20

Abstract: 本实用新型的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置可以包括静电放电(ESD)保护电路及高电压ESD触发电路，高电压ESD触发电路被配置来为半导体装置的高电压电路触发ESD保护。高电压ESD触发电路可以通过本文描述的高电压ESD触发电路的示例性实施方式中的一者或多者来实施。本文描述的高电压ESD触发电路的示例性实施方式能够处理半导体装置中包括的高电压电路的高电压。此降低了在这些高电压电路的正常操作期间过早触发ESD保护的可能性及/或防止过早触发ESD保护，且使得高电压电路能够受到保护而免于高电压ESD事件的影响。

公开(公告)号：CN220400593U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202321713491.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄筱晴 ,  许胜福 ,  徐浩桦 ,  陈品辰 ,  黄麟淯 ,  钟于彰

IPC: H01L27/02

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNMOS)器件承受及防护人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)事件的能力。电阻平衡条带是在基底中在有源区与环绕有源区的块状环之间形成的高电阻区，有源区包括ggNMOS器件的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。Vss轨经由块状环耦合至位于MOSFET之下的基底。位于MOSFET之下的基底为寄生晶体管提供基极区，寄生晶体管导通以使ggNMOS器件进行操作。所述条带抑制基极区与块状环之间的低电阻路径并防止ggNMOS器件的大部分在ggNMOS器件的其余部分保持导通时被断开。所述条带可被划分成插入关键位置处的段。