公开(公告)号：CN118038910A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410115356.3

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟彦麟 ,  林高正 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/14

Abstract: 一种存储器单元，包括第一、第二、第三和第四晶体管、第一和第二反相器以及第一和第二字线。第一反相器耦合到第一和第三晶体管。第二反相器耦合到第一反相器以及第一和第三晶体管。第一字线被配置为提供第一字线信号，位于衬底前侧上方的第一金属层上，并且耦合到第一和第三晶体管。第二字线被配置为提供第二字线信号，并且位于与衬底的前侧相反的衬底的背侧下方的第二金属层上，并且耦合到第二晶体管和第四晶体管。至少第一、第二、第三或第四晶体管在衬底的前侧上。本申请的实施例还公开了一种存储器单元阵列以及制造集成电路的方法。

公开(公告)号：CN118042818A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410084650.2

申请日：2024-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林高正 ,  藤原英弘 ,  钟彦麟 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: H10B10/00 ,  G11C5/06 ,  G11C8/14 ,  G11C11/417 ,  G11C11/418

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器单元，第一字线，位于所述存储器阵列上方并且电耦接到所述多个存储器单元之中的至少一个第一存储器单元，以及第二字线，位于所述存储器阵列下方并且电耦接到所述多个存储器单元之中的至少一个第二存储器单元。所述多个存储器单元之中的每个存储器单元包括互补场效应晶体管(CFET)器件。本申请的实施例还涉及一种形成集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN118284028A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410267776.3

申请日：2024-03-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 藤原英弘 ,  林高正 ,  钟彦麟 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: H10B10/00 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 存储器单元阵列包括第一存储器单元库、与第一存储器单元库相邻的第二存储器单元库、第一组位线和第二组位线。第一组位线在第一方向上延伸，耦合到第一存储器单元库，并且位于衬底的前侧上方的至少第一金属层上。第二组位线在第一方向上延伸，耦合到第二存储器单元库，并且位于与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的至少第二金属层上。

公开(公告)号：CN118042817A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311798192.0

申请日：2023-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟彦麟 ,  林高正 ,  詹伟闵 ,  陈炎辉

IPC: H10B10/00 ,  G11C5/06 ,  G11C5/02

Abstract: 一种存储器宏包括：输入/输出(I/O)电路，位于半导体晶圆中，存储器单元列，包括在半导体晶圆中远离I/O电路延伸的连续存储器单元的第一子集和第二子集，其中第一子集定位于I/O电路和第二子集之间，第一位线，耦接到I/O电路，并且沿着第一子集在半导体晶圆的前侧或背侧中的一个上延伸并且终止于第二子集，以及第二位线，耦接到I/O电路，并且沿着第一子集和第二子集在前侧或背侧中的另一个上延伸。第一子集的每个存储器单元电连接到第一位线，并且第二子集的每个存储器单元电连接到第二位线。本申请的实施例还涉及一种集成电路器件及制造存储器宏的方法。