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1.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN112447714A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010448329.X

申请日：2020-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王義欣 , 郑善允 , 高境鸿 , 周敬智 , 陈奕廷

IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78

Abstract: 一种用于最小化在平面的金属氧化物半导体结构中的多个硅锗晶面的方法和设备。例如，根据此方法制造的装置可能包括半导体基板、形成在基板上的多个栅极堆叠、由硅锗形成的多个源极/漏极区域、以及位于多个源极/漏极区域中的两个源极/漏极区域之间的浅沟槽隔离区域。多个源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域位于相邻于多个栅极堆叠中的至少一个栅极堆叠。此外，浅沟槽隔离区域在基板中形成沟槽而不与所述的两个源极/漏极区域相交。

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