公开(公告)号：CN119028947A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411058435.1

申请日：2024-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许晋豪 ,  郑安皓 ,  林彦良 ,  萧茹雄

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体器件的金属层可以包括在半导体器件的互连结构中的极低介电常数(ELK)介电层中。金属层可以与延伸穿过半导体器件的接合区域中的碳化硅(SiC)层的接合通孔耦合。相对于使用诸如氮化硅和/或硅玻璃的其它介电材料，ELK介电层和/或碳化硅层减少了半导体中的应力迁移。相对于使用其它介电材料，ELK介电层和/或碳化硅层也减少了互连结构中的电阻‑电容(RC)延迟。ELK介电层和/或碳化硅层提供了与金属层和/或与金属层耦合的接合通孔的金属材料(例如，铜和/或另一种金属材料)的改进的粘合。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。