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发明公开
用于半导体装置性能增益的无氟界面审中-实审

公开(公告)号：CN114927419A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210131746.0

申请日：2022-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宇庭 , 程仲良 , 罗浤珉 , 林群智 , 倪其聪

IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及用于半导体装置性能增益的无氟界面。半导体可以包括有源区、经形成在有源区中并在有源区上方延伸的外延源极/漏极、以及经形成在有源区的一部分上的第一介电层。半导体可以包括经形成在第一介电层中的第一金属栅极和第二金属栅极、经形成在第一介电层和第二金属栅极上方的第二介电层、以及经形成在金属栅极和外延源极/漏极上的钛层，没有中间氟残留层。半导体可以包括经形成在第一金属栅极上的钛层顶部的第一金属层、经形成在外延源极/漏极上的钛层顶部的第二金属层，以及经形成在第二介电层上的第三介电层。半导体可以包括经形成在第三介电层中的第一通孔和第二通孔。

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