公开(公告)号：CN116528586A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310066295.1

申请日：2023-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王舜能 ,  陈东煌 ,  高境鸿

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/50

Abstract: 一种快闪记忆体及其制造方法，快闪记忆体包括具有沿第一方向延伸的源极区的快闪记忆体单元线性阵列。各个快闪记忆体单元包括邻接源极区设置的浮动栅极。快闪记忆体单元线性阵列进一步包括设置于快闪记忆体单元的浮动栅极之间的隔离带。抹除栅极线沿第一方向延伸并设置于源极区上方。控制栅极线沿第一方向延伸并设置于隔离带上方及快闪记忆体单元的浮动栅极上方。控制栅极线具有近接于源极区的非直边缘，非直边缘至少在控制栅极线设置于隔离带上方的地方缩进远离源极区。

公开(公告)号：CN114464683A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110307382.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 任啟中 ,  洪雅琪 ,  沈宇骏 ,  王舜能 ,  江文智

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/336 ,  H01L21/306

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理机台可形成三层堆叠多晶硅结构于半导体元件的基材上。此一或多个半导体处理机台可形成一或多个多晶硅基元件于半导体元件的基材上，其中三层堆叠多晶硅结构具有第一高度，第一高度大于一或多个多晶硅基元件的一或多个第二高度。此一或多个半导体处理机台可对半导体元件进行化学机械研磨(CMP)操作，其中进行化学机械研磨操作包含使用三层堆叠多晶硅结构作为化学机械研磨操作的终止层。