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发明公开
光刻叠对校正以及光刻工艺无效

公开(公告)号：CN110543083A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910439073.3

申请日：2019-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪爱真 , 李永尧 , 刘恒信 , 王景澄 , 王盈盈

IPC: G03F9/00

Abstract: 本发明的一些实施例揭露光刻叠对校正以及光刻工艺。根据本发明的一些实施例，一种方法包含：接收晶片；在所述晶片上方界定多个区；沿着第一方向，根据一方程式针对所述多个区的各者执行多区对准补偿；及根据所述多个补偿值，针对所述多个区的各者执行晶片对准及光刻曝光。逐区执行所述晶片对准及所述光刻曝光。

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