公开(公告)号：CN108206153A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201611169532.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张永昌 ,  蔡释严 ,  黄国希 ,  游宗勋 ,  李隽毅

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种晶圆承载装置以及半导体设备，晶圆承载装置包括一驱动机构、一晶圆基座以及一电性隔离元件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。

公开(公告)号：CN113106420B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110096473.6

申请日：2021-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑柏贤 ,  柯忠廷 ,  游宗勋 ,  李资良 ,  徐志安

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8238

Abstract: 在一实施例中，半导体装置的制造方法包括：通过使第一前驱物流动，以沿沉积制程腔室的内侧壁形成介电涂料，来准备沉积制程腔室，且使第二前驱物流动，以在介电涂料上方形成疏水层。此外，执行一或多个沉积循环。接着，使第二前驱物流动以修复疏水层。

公开(公告)号：CN113106420A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110096473.6

申请日：2021-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑柏贤 ,  柯忠廷 ,  游宗勋 ,  李资良 ,  徐志安

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8238

Abstract: 在一实施例中，半导体装置的制造方法包括：通过使第一前驱物流动，以沿沉积制程腔室的内侧壁形成介电涂料，来准备沉积制程腔室，且使第二前驱物流动，以在介电涂料上方形成疏水层。此外，执行一或多个沉积循环。接着，使第二前驱物流动以修复疏水层。

公开(公告)号：CN108206153B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201611169532.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张永昌 ,  蔡释严 ,  黄国希 ,  游宗勋 ,  李隽毅

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种晶圆承载装置以及半导体设备，晶圆承载装置包括一驱动机构、一晶圆基座以及一电性隔离元件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。