公开(公告)号：CN110660714A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910578264.8

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡子中 ,  柯柄成 ,  杨智渊 ,  刘芳瑜

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种半导体裸片载具包含第一部件与第二部件。第一部件包含第一前壁、第一后壁、一体成形于第一后壁的底壁，以及枢轴针脚结构一体成形至第一后壁并从第一后壁延伸。第二部件包含第二前壁、第二后壁、一体成形至第二前壁的顶壁，以及至少一针脚座一体成形至第二后壁并从第二后壁以参照于顶面的一偏移角度延伸。枢轴针脚结构包含连接至第一后壁的基座支撑，以及连接基座支撑的轴。针脚座定义开口，开口的尺寸与大小被调整以接受轴。第一部件与第二部件的尺寸与大小被调整以可枢转地移动于开启状态与关闭状态之间。

公开(公告)号：CN111834187B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202010051533.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪蔡豪 ,  柯柄成 ,  林子扬 ,  刘芳瑜 ,  吴承翰

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H05K9/00

Abstract: 提供了半导体处理装置和方法，其中，静电放电(ESD)防止层用于防止或减少在半导体晶圆和装置的一个或多个组件之间发生的ESD事件。在一些实施例中，一种半导体处理装置包括晶圆处理结构，晶圆处理结构配置为在半导体晶圆的处理期间支撑半导体晶圆。装置还包括位于晶圆处理结构上的ESD防止层。ESD防止层包括第一材料和第二材料，并且第二材料的电导率大于第一材料的电导率。本发明的实施例还涉及利用静电放电(ESD)防止层的方法。

公开(公告)号：CN111834187A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010051533.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪蔡豪 ,  柯柄成 ,  林子扬 ,  刘芳瑜 ,  吴承翰

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H05K9/00

Abstract: 提供了半导体处理装置和方法，其中，静电放电(ESD)防止层用于防止或减少在半导体晶圆和装置的一个或多个组件之间发生的ESD事件。在一些实施例中，一种半导体处理装置包括晶圆处理结构，晶圆处理结构配置为在半导体晶圆的处理期间支撑半导体晶圆。装置还包括位于晶圆处理结构上的ESD防止层。ESD防止层包括第一材料和第二材料，并且第二材料的电导率大于第一材料的电导率。本发明的实施例还涉及利用静电放电(ESD)防止层的方法。

公开(公告)号：CN110970335A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910932935.6

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭民松 ,  刘芳瑜 ,  陈柏玮 ,  陈仲诚 ,  杨智渊 ,  柯柄成

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种用于储存及运输半导体元件的设备，包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一前侧壁、第一后侧壁、顶壁及从第一后侧壁一体地延伸的至少一销固持器。第二部分包括第二前侧壁、第二后侧壁、底壁及与第二后侧壁一体地耦接并从第二后侧壁延伸的至少一枢轴销结构。至少一枢轴销结构包括轴及与轴连接的头部。至少一销固持器界定空腔，空腔的尺寸及形状设计成接纳至少一枢轴销结构的头部。第一部分及第二部分可在开启配置及关闭容器配置之间枢转地移动。