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公开(公告)号：CN110299351B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910220583.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施例是半导体器件及其形成方法，半导体器件包括具有有源侧和背侧的集成电路管芯，背侧与有源侧相对；密封集成电路管芯的模塑料以及位于集成电路管芯和模塑料上面的第一再分布结构，第一再分布结构包括第一金属化图案和第一介电层，第一金属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧，第一金属化图案的至少部分形成电感器。
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公开(公告)号：CN110299351A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910220583.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明的实施例是半导体器件及其形成方法，半导体器件包括具有有源侧和背侧的集成电路管芯，背侧与有源侧相对；密封集成电路管芯的模塑料以及位于集成电路管芯和模塑料上面的第一再分布结构，第一再分布结构包括第一金属化图案和第一介电层，第一金属化图案电连接至集成电路管芯的有源侧，第一金属化图案的至少部分形成电感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221783210U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202420062335.5
申请日：2024-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括光学中介物、第一电子集成电路裸片、第二电子集成电路裸片及第一输入/输出装置。光学中介物用于传送及接收来自外部来源(诸如光纤)的信号。光学中介物接收信号，将信号路由至各种接附的元件，且当有需求时，将信号在光学与电子信号之间转换。各种接附的元件可包含存储器装置(诸如高频宽存储器)、处理元件(诸如处理单元)、上述的组合或其类似物。
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公开(公告)号：CN222421987U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202420902449.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装结构，包括中介层、控制单元、多个运算单元、信号传输层以及光电材料。控制单元接合到中介层，运算单元设置于控制单元周围并连接至控制单元。信号传输层形成于控制单元和运算单元中，光电材料形成于控制单元与运算单元内，且光电材料与信号传输层重叠。
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公开(公告)号：CN222442145U
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202420926502.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装结构，包含第一芯片结构，第一芯片结构包含第一电子装置及第一互连结构，电性连接至第一电子装置的前侧。第一芯片结构还包含第一背侧导通孔，电性连接至第一电子装置的背侧，以及第一波导层，与第一电子装置重叠。此外，第一波导层比起第一电子装置的前侧更靠近第一电子装置的背侧。第一芯片结构还包含多个第一波导部件，形成于第一波导层上方，以及第一导通孔，形成通过第一波导层，并电性连接至第一背侧导通孔。
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公开(公告)号：CN222420602U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202420942926.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种封装体结构，包括具有前侧表面及背侧表面的基底，以及形成于基底的前侧表面上的一电子装置。封装体结构包括形成于基底的背侧表面下方并与之直接接触的介电层，以及形成于介电层内的一第一光学装置。封装体结构也包括形成在第一光学装置下方或上方的一保护层以及形成于保护层内的一光电效应材料层。
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