-
公开(公告)号：CN115083998A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210007123.2
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/763 , H01L27/11517
Abstract: 一种用于排除凹陷区形成的方法，其包括：形成一隔离层；形成一导电层，其与所述隔离层具有一上倾斜边界，使得所述导电层具有一部分，其位于所述隔离层在所述上倾斜边界处的一部分的上方；回蚀刻所述隔离层；以及在回蚀刻所述隔离层之后，回蚀刻所述导电层，使得经蚀刻的导电层的一顶表面是位于低于经蚀刻的隔离层的顶表面的一水平。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
