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1.

发明公开
集成电路器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN119836225A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411883250.4

申请日：2024-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子羽 , 朱柏翰 , 张耀文

IPC: H10N97/00

Abstract: 一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件，包括：薄膜电阻器(TFR)，位于衬底上面并且包括在横向于衬底的顶面的方向上堆叠的第一膜和第二膜。第一膜包括在温度范围内具有负电阻温度系数(TCR)的第一材料。负TCR导致第一膜的电阻随着第一膜的温度升高而减小。第二膜包括在温度范围内具有正TCR的第二材料。正TCR导致第二膜的电阻随着第二膜的温度升高而增大。本公开的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。

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