公开(公告)号：CN111128737A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911035326.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ,  张景舜 ,  余典卫 ,  蔡家铭 ,  陈明德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在形成双层结构的第一导电层上方形成屏蔽层，在屏蔽层上方形成覆盖层，在形成覆盖层之后实施第一退火操作，在第一退火操作之后去除覆盖层，并且在去除覆盖层之后形成栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN115832024A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210962381.6

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ,  张景舜 ,  余典卫 ,  蔡家铭

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括提供具有衬底、位于衬底上方的半导体沟道层、位于半导体沟道层上方的界面氧化物层以及位于界面氧化物层上方的高k栅极介电层的结构，其中，半导体沟道层包括锗。该方法还包括在高k栅极介电层上方形成金属氮化物层并使用含金属气体对该结构执行第一处理。在执行第一处理之后，该方法还包括在金属氮化物层上方沉积硅层；然后对该结构执行退火，使得在高k栅极介电层上方形成金属混合层。金属混合层包括具有来自高k栅极介电层的金属物质和来自含金属气体的附加金属物质的金属氧化物。根据本申请的其他实施例，还提供了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。

公开(公告)号：CN115831731A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210962819.0

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ,  张景舜 ,  余典卫 ,  蔡家铭

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本文公开了用于提供具有改善的轮廓(例如，最小至没有翘曲、弯曲、弓形和颈缩和/或基本上垂直的侧壁)的栅极堆叠件和/或栅极结构(例如，高k/金属栅极)的栅极制造技术，其可以在各种器件类型中实现。例如，本文公开的栅极制造技术提供具有应力处理胶层的栅极堆叠件，应力处理胶层具有小于约1.0吉帕斯卡(GPa)(例如，约‑2.5GPa至约0.8GPa)的残余应力。在一些实施例中，通过在功函层上方沉积胶层以及对胶层实施应力减小处理(诸如气体环境中的离子注入工艺和/或退火工艺)来提供应力处理胶层。在一些实施例中，通过在功函层上方形成至少一个胶子层/金属层对、实施毒化工艺以及在该对上方形成胶子层来提供应力处理胶层。本申请的实施例还涉及用于形成栅极堆叠件的方法、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111128737B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911035326.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ,  张景舜 ,  余典卫 ,  蔡家铭 ,  陈明德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在形成双层结构的第一导电层上方形成屏蔽层，在屏蔽层上方形成覆盖层，在形成覆盖层之后实施第一退火操作，在第一退火操作之后去除覆盖层，并且在去除覆盖层之后形成栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN110957358B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910885457.8

申请日：2019-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ,  蔡家铭 ,  陈明德 ,  林士琦 ,  张景舜 ,  余典卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。

公开(公告)号：CN110957358A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910885457.8

申请日：2019-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ,  蔡家铭 ,  陈明德 ,  林士琦 ,  张景舜 ,  余典卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。