公开(公告)号：CN115274658A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210148834.1

申请日：2022-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  张怡婷 ,  林季勋 ,  潘正扬

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 在实施例中，器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一半导体鳍，突出至隔离区域之上；第二半导体鳍，突出至隔离区域之上；以及介电鳍，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间，介电鳍突出至隔离区域之上，介电鳍包括：第一层，包括具有第一碳浓度的第一介电材料；以及第二层，位于第一层上，第二层包括具有第二碳浓度的第二介电材料，第二碳浓度大于第一碳浓度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN114927475A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110887365.0

申请日：2021-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  张怡婷 ,  谭伦光 ,  林千

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭露提出一种半导体装置及其形成的方法，半导体装置形成的方法包括在基板上方形成多个半导体鳍片，这些半导体鳍片包含第一鳍片、第二鳍片、第三鳍片及第四鳍片。在这些个半导体鳍片上方形成第一介电层，第一介电层填充第一鳍片与第二鳍片之间的第一沟槽的整体。在第一介电层上方形成第二介电层，第二介电层填充第二鳍片与第三鳍片之间的第二沟槽的整体。第二介电层的形成包含形成氮氧化物层、形成氧化层以及在第二介电层上方形成第三介电层。第三介电层填充第三鳍片与第四鳍片之间的第三沟槽的整体。