公开(公告)号：CN102412257B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110049461.4

申请日：2011-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志煌 ,  黄胜煌 ,  黄国峰 ,  刘明德 ,  林春荣 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L27/22

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。

公开(公告)号：CN102881820B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210012951.1

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明德 ,  江典蔚 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102881820A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210012951.1

申请日：2012-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明德 ,  江典蔚 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102412257A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110049461.4

申请日：2011-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志煌 ,  黄胜煌 ,  黄国峰 ,  刘明德 ,  林春荣 ,  高雅真 ,  陈文正

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区域中；一第二部分磁性固定于一第一方向且位于基板的一第二区域中，其中第二区域从一第一侧边与第一区域接触；以及一第三部分磁性固定于一第二方向且位于基板的一第三区域中，其中第三区域从一第二侧边与第一区域接触。本发明可降低写入电流而不会劣化(degrading)磁阻(magnetoresistance，MR)及/或热稳定性。

公开(公告)号：CN102074649A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010121327.6

申请日：2010-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林春荣 ,  王郁仁 ,  高雅真 ,  陈文正 ,  刘明德

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种存储器装置、磁性随机存取存储器的存储单元及其制造方法，用于MRAM的反向连接的STT MTJ元件，当切换该MTJ元件的磁化自平行至反平行方向时，用以克服源极退化效应。一MRAM的存储单元具有反向连接的MTJ元件，包括一切换元件，具有一源极、一栅极和一漏极，以及反向连接的MTJ元件具有一自由层、一固定层和一隔离层。该反向连接的MTJ元件的自由层与该切换元件的漏极连接，及该固定层与一位元线连接。该反向连接的MTJ元件运用该存储单元的低IMTJ能力，致使源极退化效应对IMTJ(AP→P)影响较不严厉，而保有较高的IMTJ能力因应较严格的IMTJ(P→AP)需求。

公开(公告)号：CN103022342B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210100208.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志明 ,  高雅真 ,  刘明德 ,  喻中一 ,  蔡正原 ,  林春荣

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明为用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法，提供了用于MRAM器件的MTJ叠层。MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于导电氧化物层上方。本发明还提供了一种用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法。

公开(公告)号：CN103022342A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210100208.1

申请日：2012-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志明 ,  高雅真 ,  刘明德 ,  喻中一 ,  蔡正原 ,  林春荣

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明为用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法，提供了用于MRAM器件的MTJ叠层。MTJ叠层包括：固定铁磁层，位于牵制层上方；隧穿阻挡层，位于固定铁磁层上方；自由铁磁层，位于隧穿阻挡层上方；导电氧化物层，位于自由铁磁层上方；以及基于氧的保护层，位于导电氧化物层上方。本发明还提供了一种用于具有氧吸收保护层的MRAM器件的结构和方法。