公开(公告)号：CN114783856A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210014908.2

申请日：2022-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘仲轩 ,  林震洋 ,  宋古翔 ,  于大卫 ,  林冠文 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 一种半导体电路的制造方法及半导体制造系统，在一种半导体元件的制造方法中，从装载端口取回半导体晶圆。将半导体晶圆传送至处理装置。在处理装置中，将半导体晶圆的表面暴露于电浆风的定向流，以从半导体晶圆的表面清除粒子。电浆风流是由环境电浆产生器产生，并将其以相对于半导体晶圆的表面的垂直平面的倾斜角导入持续预设的电浆暴露时间。在清除之后，将光阻层设置于半导体晶圆上。

公开(公告)号：CN107664917A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201610854281.6

申请日：2016-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周子婷 ,  刘仲轩 ,  林冠文 ,  吕启纶 ,  许庭豪 ,  秦圣基

IPC: G03F1/82 ,  G03F1/22

Abstract: 一种移除极紫外光(EUV)表膜粘胶的方法，包括：接收极紫外光(EUV)掩模；EUV掩模具有设置于其上方的EUV表膜；EUV表膜至少部分经由设置于EUV掩模上的粘胶连接至EUV掩模；移除EUV表膜从而暴露出粘胶；通过针对EUV掩模上置有粘胶的区域实行局部粘胶移除工艺，局部粘胶移除工艺的实行不影响EUV掩模上不具有粘胶的其它区域。局部粘胶移除工艺可包括注射清洗化学物质至粘胶上，并移除由清洗化学物质及粘胶所产生的废弃化学物质。局部粘胶移除工艺也可包括施用等离子体至粘胶的等离子体工艺。局部粘胶移除工艺还可包括发射聚焦激光束于粘胶的激光工艺。

公开(公告)号：CN113471097A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110164194.9

申请日：2021-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林震洋 ,  刘仲轩 ,  宋古翔 ,  林冠文 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: H01L21/67

Abstract: 揭示一种晶圆清洁模块以及一种通过该晶圆清洁模块清洁一晶圆的方法。例如，晶圆清洁模块包括：晶圆夹盘，该晶圆夹盘用以固持晶圆；臭氧源，该臭氧源用以朝向晶圆提供臭氧气体；以及紫外线(UV,Ultraviolet)灯模块，该紫外线灯模块用以提供紫外光。紫外线灯模块包括紫外线光源以及围绕紫外线光源的可旋转反射镜。可旋转反射镜是能够移动的，以便调整导向晶圆表面的紫外光的量。