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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102165543A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980138515.5
申请日：2009-09-29
CPC classification number: B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/4682 , C04B37/005 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/346 , C04B2237/708 , H01F1/344 , H01F41/0246 , H01F41/046 , H01G4/1227 , H01G4/40 , H03H1/0007 , H03H7/427
Abstract: 本发明提供一种复合电子部件，其包含在1000℃以下的温度下共烧结而成的磁性体2和电介质1。磁性体2是由46～48摩尔％的Fe2O3、0.1～36摩尔％的ZnO、10～14摩尔％的CuO和余量的NiO构成的铁氧体；电介质1的相对介电常数为1000以上；电介质为，对于钛酸钡系电介质100重量份，添加0.5重量份以上4.0重量份以下的CuO和4.0重量份以上9.0重量份以下的Bi2O3。
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公开(公告)号：CN101836518A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880109134.X
申请日：2008-07-31
CPC classification number: H05K1/162 , B32B18/00 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B2235/3215 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01B3/12 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/165 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K2201/0187 , H05K2201/10674 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种陶瓷多层基板，其通过将由低介电常数的绝缘体组成的低介电常数层和由高介电常数的电介质组成的高介电常数层进行共烧结而得到。低介电常数层包括具有xBaO-yTiO2-zZnO(x，y，z分别表示摩尔比，x+y+z＝1，0.09≤x≤0.20，0.49≤y≤0.61，0.19≤z≤0.42)组成的低介电常数陶瓷成分，和相对于100重量份的该低介电常数陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分。高介电常数层是由添加有CuO和Bi2O3的钛酸钡系电介质组成。
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公开(公告)号：CN101410344B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200780011292.7
申请日：2007-03-14
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16268 , H05K1/0306 , H05K3/4688 , H05K2201/0187
Abstract: 本发明提供一种介电瓷组合物。本发明的介电瓷组合物的特征在于，具有的组成中含有100重量份的钛酸钡系介电体，以及作为副成分含有合计为4～10重量份的从由CuO、ZnO和MgO构成的组中选出的至少一种与Bi2O3。
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公开(公告)号：CN101836518B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880109134.X
申请日：2008-07-31
CPC classification number: H05K1/162 , B32B18/00 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B2235/3215 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01B3/12 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/165 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K2201/0187 , H05K2201/10674 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种陶瓷多层基板，其通过将由低介电常数的绝缘体组成的低介电常数层和由高介电常数的电介质组成的高介电常数层进行共烧结而得到。低介电常数层包括具有xBaO-yTiO2-zZnO(x，y，z分别表示摩尔比，x+y+z＝1，0.09≤x≤0.20，0.49≤y≤0.61，0.19≤z≤0.42)组成的低介电常数陶瓷成分，和相对于100重量份的该低介电常数陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分。高介电常数层是由添加有CuO和Bi2O3的钛酸钡系电介质组成。
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公开(公告)号：CN101410344A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011292.7
申请日：2007-03-14
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16268 , H05K1/0306 , H05K3/4688 , H05K2201/0187
Abstract: 本发明提供一种介电瓷组合物。本发明的介电瓷组合物的特征在于，具有的组成中含有100重量份的钛酸钡系介电体，以及作为副成分含有合计为4～10重量份的从由CuO、ZnO和MgO构成的组中选出的至少一种与Bi2O3。
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