一种稀土掺杂钨酸基高熵陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114075074B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010828123.X

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钨酸基高熵多孔陶瓷及其制备方法,具有以下化学通式:RExBi0.4WO6,其中,RE选自稀土元素La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Yb,Tm,Lu,Sc和Y中的至少四种,x=0.4乘以稀土元素种类的数量。本发明在钨酸铋的基础上,创造性地采用多种稀土离子进行掺杂,调控催化剂的能带结构、晶体结构或改变其形貌及表面性质,从而改善了催化剂的可见光催化性能,首次填补了在钨酸基高熵陶瓷技术领域的空白。本发明采用高温固相法或水热合成法制备钨酸基高熵多孔陶瓷,制备工艺流程简单且操作条件可控,易于产业化推广应用。

    一种稀土掺杂钨酸基高熵陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114075074A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010828123.X

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂钨酸基高熵多孔陶瓷及其制备方法,具有以下化学通式:RExBi0.4WO6,其中,RE选自稀土元素La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Yb,Tm,Lu,Sc和Y中的至少四种,x=0.4乘以稀土元素种类的数量。本发明在钨酸铋的基础上,创造性地采用多种稀土离子进行掺杂,调控催化剂的能带结构、晶体结构或改变其形貌及表面性质,从而改善了催化剂的可见光催化性能,首次填补了在钨酸基高熵陶瓷技术领域的空白。本发明采用高温固相法或水热合成法制备钨酸基高熵多孔陶瓷,制备工艺流程简单且操作条件可控,易于产业化推广应用。

    一种锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114105672B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202010898654.6

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷及其制备方法。锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷具有化学通式:[Mz(REz/Thz)]2(ZrxTay)2O7,M选自稀土元素Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Er、Tm、Yb和Lu中的至少三种;RE选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Er、Tm、Yb和Lu中的一种且不与M相同;x≥0.5,y≤0.5,z=0.25,x+y=1,M、RE/Th与Zr、Ta物质的量之比为1:1。本发明采用稀土元素掺杂,充分结合了锆酸稀土基陶瓷的保温性能和钽酸稀土基陶瓷的屏蔽性能,采用固相合成法合成的粉体晶粒小且分布均匀,利用纤维素造孔形成多孔陶瓷,进一步降低了材料的导热系数,制备工艺简单,纯度高,具有大规模工业生产的潜力。

    一种锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114105672A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010898654.6

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷及其制备方法。锆钽复合稀土基多孔高熵陶瓷具有化学通式:(MzREz/Thz)2(ZrxTay)2O7,M选自稀土元素Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Er、Tm、Yb和Lu中的至少三种;RE选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Tb、Er、Tm、Yb和Lu中的一种且不与M相同;x≥0.5,y≤0.5,z=0.25,x+y=1,M、RE/Th与Zr、Ta物质的量之比为1:1。本发明采用稀土元素掺杂,充分结合了锆酸稀土基陶瓷的保温性能和钽酸稀土基陶瓷的屏蔽性能,采用固相合成法合成的粉体晶粒小且分布均匀,利用纤维素造孔形成多孔陶瓷,进一步降低了材料的导热系数,制备工艺简单,纯度高,具有大规模工业生产的潜力。

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