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公开(公告)号：CN102244056B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110181756.7
申请日：2011-06-30
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，覆盖于待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，用于覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖于第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。本发明可完全阻挡键合层材料扩散入接触层或半导体晶片，从而完全避免影响接触层与半导体晶片的接触特性、接触层反光特性以及半导体晶片材料特性。同时，本发明还可大为提高键合结构在垂直方向的导电性和导热性。
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公开(公告)号：CN102222706B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110176319.6
申请日：2011-06-28
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022433 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种高倍聚光太阳能电池芯片，其包括一外延层结构，一形成于所述外延层结构上表面的经特殊设计的图形化上电极，一形成于所述外延层结构下表面的背面电极。所述图形化上电极包括主栅及次栅，其中主栅由一系列等腰梯形结构连接而成，梯形上边在同一条直线上，并指向电池芯片内部；梯形上边以下至下边的区域为引线焊接区；次栅与梯形主栅的两腰连接。本发明的优点在于，所述的图形化上电极经过特殊设计，可使得太阳电池芯片在高倍聚光下产生的大密度电流在流经主栅时充分扩展，防止电流拥挤；同时增加聚光太阳电池芯片有效光照面积，增加光生电流。
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公开(公告)号：CN101969086B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010244598.0
申请日：2010-07-29
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/184 , H01L31/18 , Y02E10/544
摘要： 一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，采用精确半刀切割方法，采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽，所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度；对开槽侧壁进行化学抛光；在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料，将电池芯片表面钝化防止漏电；用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂，形成单个太阳电池芯片。采用刀口具有倾斜角度的切割刀片对芯片先进行半刀切割，使切割道侧壁具有同样的倾斜角度，可避免芯片在划裂时受损，同时有利于在其上制备高质量及高反射性能的钝化膜；芯片划裂使用的刀片宽度小于半刀切割用刀片，防止划裂时钝化膜被破坏；以得到优良的太阳电池芯片钝化边缘，防止边缘漏电。
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公开(公告)号：CN101969086A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010244598.0
申请日：2010-07-29
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/184 , H01L31/18 , Y02E10/544
摘要： 一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，采用精确半刀切割方法，采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽，所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度；对开槽侧壁进行化学抛光；在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料，将电池芯片表面钝化防止漏电；用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂，形成单个太阳电池芯片。采用刀口具有倾斜角度的切割刀片对芯片先进行半刀切割，使切割道侧壁具有同样的倾斜角度，可避免芯片在划裂时受损，同时有利于在其上制备高质量及高反射性能的钝化膜；芯片划裂使用的刀片宽度小于半刀切割用刀片，防止划裂时钝化膜被破坏；以得到优良的太阳电池芯片钝化边缘，防止边缘漏电。
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公开(公告)号：CN101533861B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910019870.2
申请日：2009-03-18
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B1/11 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开的一种三层太阳电池增透膜及其制备方法，适用III-V族化合物太阳电池，特别地适用于GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池，在GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池上依次层叠减反射膜组成复合光学薄膜，三层减反射膜的第一层是折射率为3.15～3.45的AlGaInP薄膜，第二层减反射膜是折射率为2.12～2.18的Ta2O5薄膜，第三层减反射膜是折射率约为1.37～1.39的MgF2薄膜。本发明所选的三层反射膜在应用波段范围吸收小，有良好的光学和化学稳定性，与电池基体材料的结合性和牢固度好，折射率相匹配，同时制备工艺简单，在400～1200nm波段太阳光谱在电池表面平均透射率大于98％。
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公开(公告)号：CN101656275B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910018292.0
申请日：2009-09-08
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/055 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法，采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池，在转移衬底的表面蒸镀制备有高反射率的金属电极；转移衬底的表面涂覆网格状荧光粉层；在上述转移衬底表面和多结化合物太阳电池的底电池表面制备有用于键合的网格状厚金属电极；把转移衬底和多结化合物太阳电池的底电池键合，荧光粉层的表面和多结化合物太阳电池的底电池表面紧密接触；把外延片衬底去除。通过在芯片制备过程中把荧光粉均匀涂覆在倒装型太阳电池底电池的表面，所涂覆荧光粉可把大于1.2微米部分太阳光谱转变成短波长的太阳电池光谱灵敏度较高的光谱，使太阳电池吸收的太阳光谱范围拓宽，可大大提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102244056A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110181756.7
申请日：2011-06-30
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种用于半导体晶片键合的键合结构，其包括：一接触层，覆盖于待键合的半导体晶片表面上；一第一阻挡层，用于覆盖在接触层表面上，设有一第一绝缘区域和一第一导通区域；一导电层，覆盖于第一阻挡层表面上；一覆盖于所述导电层的第二阻挡层，设有一第二绝缘区域和一第二导通区域，第二导通区域的位置与所述第一导通区域的位置相互错开；键合层，覆盖于所述第二阻挡层表面上。本发明可完全阻挡键合层材料扩散入接触层或半导体晶片，从而完全避免影响接触层与半导体晶片的接触特性、接触层反光特性以及半导体晶片材料特性。同时，本发明还可大为提高键合结构在垂直方向的导电性和导热性。
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公开(公告)号：CN101656275A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910018292.0
申请日：2009-09-08
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/055 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521
摘要： 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法，采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池，在转移衬底的表面蒸镀制备有高反射率的金属电极；转移衬底的表面涂覆网格状荧光粉层；在上述转移衬底表面和多结化合物太阳电池的底电池表面制备有用于键合的网格状厚金属电极；把转移衬底和多结化合物太阳电池的底电池键合，荧光粉层的表面和多结化合物太阳电池的底电池表面紧密接触；把外延片衬底去除。通过在芯片制备过程中把荧光粉均匀涂覆在倒装型太阳电池底电池的表面，所涂覆荧光粉可把大于1.2微米部分太阳光谱转变成短波长的太阳电池光谱灵敏度较高的光谱，使太阳电池吸收的太阳光谱范围拓宽，可大大提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102222706A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110176319.6
申请日：2011-06-28
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/022433 , Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种高倍聚光太阳能电池芯片，其包括一外延层结构，一形成于所述外延层结构上表面的经特殊设计的图形化上电极，一形成于所述外延层结构下表面的背面电极。所述图形化上电极包括主栅及次栅，其中主栅由一系列等腰梯形结构连接而成，梯形上边在同一条直线上，并指向电池芯片内部；梯形上边以下至下边的区域为引线焊接区；次栅与梯形主栅的两腰连接。本发明的优点在于，所述的图形化上电极经过特殊设计，可使得太阳电池芯片在高倍聚光下产生的大密度电流在流经主栅时充分扩展，防止电流拥挤；同时增加聚光太阳电池芯片有效光照面积，增加光生电流。
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公开(公告)号：CN101533862A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910019869.X
申请日：2009-03-18
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0304
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开的一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池，包括一个Ge底电池，一个中间电池，一个顶电池和其间的隧穿结，中间电池基区由p型Ga1－xInxAs层和应变补偿p型GaAsP/Ga1－yInyAs超晶格共同构成，带隙为1.65～1.75eV的AlxGa1－xAs电池做为三结电池的顶电池，同时满足晶格匹配和短路电流匹配条件。本发明可以充分利用成熟的MOCVD外延技术，克服现有三结太阳电池电流匹配和晶格匹配不相容的缺点，进一步提高三结太阳电池的效率。
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