Invention Publication
- Patent Title: 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of chip of flip chip type multijunction compound solar cell
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Application No.: CN200910018292.0Application Date: 2009-09-08
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Publication No.: CN101656275APublication Date: 2010-02-24
- Inventor: 黄生荣 , 林桂江 , 吴志敏 , 丁杰 , 吴志强 , 林志东
- Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
- Assignee: 厦门市三安光电科技有限公司
- Current Assignee: 天津三安光电有限公司
- Current Assignee Address: 300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
- Agency: 厦门原创专利事务所
- Agent 徐东峰
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/20 ; H01L31/055 ; H01L31/0216 ; H01L31/0224 ; H01L31/0232

Abstract:
一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法,采用气象外延的方法制备倒装结构的多结化合物太阳电池,在转移衬底的表面蒸镀制备有高反射率的金属电极;转移衬底的表面涂覆网格状荧光粉层;在上述转移衬底表面和多结化合物太阳电池的底电池表面制备有用于键合的网格状厚金属电极;把转移衬底和多结化合物太阳电池的底电池键合,荧光粉层的表面和多结化合物太阳电池的底电池表面紧密接触;把外延片衬底去除。通过在芯片制备过程中把荧光粉均匀涂覆在倒装型太阳电池底电池的表面,所涂覆荧光粉可把大于1.2微米部分太阳光谱转变成短波长的太阳电池光谱灵敏度较高的光谱,使太阳电池吸收的太阳光谱范围拓宽,可大大提高太阳电池的光电转换效率。
Public/Granted literature
- CN101656275B 一种倒装型多结化合物太阳电池芯片的制备方法 Public/Granted day:2012-01-04
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