公开(公告)号：CN116563236A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310498683.7

申请日：2023-05-05

Applicant: 厦门大学附属第一医院(厦门市第一医院、厦门市红十字会医院、厦门市糖尿病研究所) ,  厦门理工学院

Inventor： 黄辉萍 ,  陈学勤 ,  黄蕾 ,  黄辉祥 ,  左石凯 ,  李煜 ,  谢廷一

IPC: G06T7/00 ,  G06T17/00 ,  G06V10/80 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种基于三维人脸建模的医用防护口罩密合性测试方法、系统、存储介质，包括：通过改进端到端多视图融合算法对人脸多视角图像进行特征拼合得到三维人脸模型；将三维人脸模型和头部模板的拼合得到融合模型；将口罩三维图像投射到融合模型上；计算不同口罩三维图像和融合模型密合性，得到与融合模型最匹配的口罩。通过三维人脸头部模板和口罩三维图像可以快速实现口罩密合性测试。

公开(公告)号：CN111987073A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。

公开(公告)号：CN116632079A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310435698.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 彭宇佳 ,  黄辉祥 ,  郭榕榕 ,  毕大炜 ,  刘鸣 ,  李明逵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L25/04

Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，涉及一种肖特基接触和自主分压的硅漂移探测器阵列及制备方法，其包括多个硅漂移探测器，任一硅漂移探测器均包括N型衬底，N型衬底顶面中心设有实心铝圆环，实心铝圆环外侧依次设有多个铜环；N型衬底底面中心设有实心铜圆环，实心铜圆环外侧也依次设有多个铜环；实心铝圆环、铜环、实心铜圆环外侧覆盖有二氧化硅层，二氧化硅层上方沉积有连接线和分压器；第一个硅漂移探测器左半部分用于布线，通过连接线将各个硅漂移探测器的铜环进行连接，第一个硅漂移探测器右半部分用于分压，对应的铜环通过打孔与分压器连接。本发明能够自主分压，通过金属短接降低了成本，简化了工艺，同时简化了外部电路。

公开(公告)号：CN111987073B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。