公开(公告)号：CN111987073A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。

公开(公告)号：CN111987073B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。