公开(公告)号：CN116632079A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310435698.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 彭宇佳 ,  黄辉祥 ,  郭榕榕 ,  毕大炜 ,  刘鸣 ,  李明逵

IPC: H01L31/0224 ,  H01L25/04

Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，涉及一种肖特基接触和自主分压的硅漂移探测器阵列及制备方法，其包括多个硅漂移探测器，任一硅漂移探测器均包括N型衬底，N型衬底顶面中心设有实心铝圆环，实心铝圆环外侧依次设有多个铜环；N型衬底底面中心设有实心铜圆环，实心铜圆环外侧也依次设有多个铜环；实心铝圆环、铜环、实心铜圆环外侧覆盖有二氧化硅层，二氧化硅层上方沉积有连接线和分压器；第一个硅漂移探测器左半部分用于布线，通过连接线将各个硅漂移探测器的铜环进行连接，第一个硅漂移探测器右半部分用于分压，对应的铜环通过打孔与分压器连接。本发明能够自主分压，通过金属短接降低了成本，简化了工艺，同时简化了外部电路。

公开(公告)号：CN118645423A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410840212.4

申请日：2024-06-26

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 程再军 ,  罗杭 ,  郭榕榕 ,  郑荣升 ,  杨宇霖

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明属于半导体外延生长技术领域。本发明提供了一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法。本发明氧化镓薄膜的异质外延生长方法，包含如下步骤：将镓源水平置于反应温区，预处理后的衬底垂直置于沉积温区，通入氧源进行薄膜生长，然后对衬底上得到的氧化镓薄膜进行异位退火。本发明通过对衬底进行预处理，在氧化镓薄膜生长过程中形成台阶流生长模式，显著提高了氧化镓薄膜的结晶质量，有效避免薄膜中层错等结构缺陷的形成；通过分立温区，独立控制镓源和衬底的温度变化，实现了薄膜晶体质量和生长速率的高度统一，得到了生长速率高、生长均匀、平面光滑、高质量氧化镓薄膜。本发明的原料易得，价格低廉，设备简单，重复性和可靠性高。