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发明公开
一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法审中-实审

公开(公告)号：CN118645423A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410840212.4

申请日：2024-06-26

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 程再军 , 罗杭 , 郭榕榕 , 郑荣升 , 杨宇霖

IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C01G15/00

Abstract: 本发明属于半导体外延生长技术领域。本发明提供了一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法。本发明氧化镓薄膜的异质外延生长方法，包含如下步骤：将镓源水平置于反应温区，预处理后的衬底垂直置于沉积温区，通入氧源进行薄膜生长，然后对衬底上得到的氧化镓薄膜进行异位退火。本发明通过对衬底进行预处理，在氧化镓薄膜生长过程中形成台阶流生长模式，显著提高了氧化镓薄膜的结晶质量，有效避免薄膜中层错等结构缺陷的形成；通过分立温区，独立控制镓源和衬底的温度变化，实现了薄膜晶体质量和生长速率的高度统一，得到了生长速率高、生长均匀、平面光滑、高质量氧化镓薄膜。本发明的原料易得，价格低廉，设备简单，重复性和可靠性高。

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