公开(公告)号：CN119451157A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411346806.6

申请日：2024-09-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王懿锋 ,  杨伟锋

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/82

Abstract: 本发明公开了一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法，依次包括：衬底、沟道层、间隔层、δ掺杂层和势垒层，还包括：第一欧姆接触区，设置在间隔层、δ掺杂层和势垒层端面一侧；第二欧姆接触区，设置在间隔层、δ掺杂层和势垒层端面另一侧；第一欧姆接触区和第二欧姆接触区的高度高于势垒层的上表面；PN结结构，设置在势垒层上的部分表面；介质层结构，横跨设置在势垒层、PN结结构、第一欧姆接触区和第二欧姆接触区上方；源电极，设置在第一欧姆接触区上；漏电极，设置在第二欧姆接触区上；栅电极，设置在PN结结构和介质层结构上，栅电极上端向位于PN结结构上方的介质层结构两端延伸形成场板结构。本发明能提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN115881823A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211743100.4

申请日：2022-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  冶晓峰 ,  王懿锋 ,  王鑫炜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种用于SiC功率器件的阶梯状复合终端结构及其制造方法。其中，所述结构包括：形成于N型重掺杂衬底上的N‑漂移区，N‑漂移区上依次设有器件元胞区和器件终端区；器件元胞区包括间隔设置的深P阱区，以及深P阱区与N‑漂移区形成的PN结组成主结；器件终端区包括：多区台阶形P型结终端拓展区、钝化层；该多区台阶形P型结终端拓展区靠近主结一侧间隔设置有若干N+场限环；多区台阶形P型结终端拓展区表面淀积有钝化层，N+场限环远离N‑漂移区一侧设置有刻蚀沟槽。本发明使用多区台阶形P型结终端拓展区，有效应用多区效应来拓宽目标电压下的拓展区优质剂量窗口，从而降低拓展区对剂量的敏感性。

公开(公告)号：CN115911097A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211743085.3

申请日：2022-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  冶晓峰 ,  王懿锋 ,  王鑫炜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法。其中，所述结构包括：形成于N型重掺杂衬底上的N‑漂移区，N‑漂移区上依次设有器件元胞区和器件终端区；器件元胞区包括间隔设置的深P阱区，以及深P阱区与N‑漂移区形成的PN结组成主结；器件终端区包括：P型结终端拓展区、钝化层；该P型结终端拓展区靠近主结一侧间隔设置有若干N+场限环；P型结终端拓展区表面淀积有钝化层，N+场限环远离N‑漂移区一侧设置有刻蚀沟槽。本发明可以增强器件的抗短路能力，在器件处于反向阻断状态时，器件元胞区的PN结和终端结构同时承受耐压，提高器件反向击穿电压，从而使器件更具有可靠性。