公开(公告)号：CN116759320A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310930216.7

申请日：2023-07-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 钟毅 ,  刘中良 ,  江彬彬

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法。本发明提供一种用于改善凸块互连结构的耐湿热可靠性的方法，包括以下步骤：对凸块互连结构进行表面预处理以去除其表面的污渍；将完成表面预处理的凸块互连结构进行氩气等离子体处理；将完成氩气等离子体处理的凸块互连结构进行低温等离子体处理以在所述底切结构的表面形成钝化膜，所述低温等离子体处理的温度范围为25‑300℃。本发明提供的方法能够有效地改善凸块互连结构在恶劣环境下的湿热可靠性。

公开(公告)号：CN117038469A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311034375.5

申请日：2023-08-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 钟毅 ,  江彬彬 ,  刘中良 ,  于大全

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的扇出封装结构和晶圆级制备工艺，该工艺包括以下步骤：1)将多个待封装芯片焊盘面一侧临时键合于临时载板；2)在临时载板上的芯片背面和金刚石表面分别制备金属层，对准后通过金属层实现热压键合；3)进行塑封，并将塑封层减薄至金刚石露出；4)去除芯片焊盘面的临时载板，在金刚石一侧临时键合另一临时载板；5)于芯片焊盘面一侧制作重布线层和外接结构；6)去除金刚石一侧的临时载板，并切割划片；7)在金刚石一侧依次形成热界面材料层和散热器。本发明通过热压键合技术实现了金刚石作为芯片散热衬底的应用，提高了器件的散热性能；同时通过扇出封装结构实现更薄的封装尺寸和更低的热阻。

公开(公告)号：CN116613081A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310709652.1

申请日：2023-06-15

Applicant: 厦门大学 ,  厦门通富微电子有限公司

Inventor： 钟毅 ,  刘中良 ,  陈昇晖 ,  简永幸 ,  何腾腾 ,  江彬彬

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；(3)对凸块连接结构进行脱水处理；(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。