公开(公告)号：CN117467973A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311459982.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  吴猛 ,  杜颖 ,  鲁浩伟 ,  康俊勇

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02

Abstract: 一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流中沉积于ITO衬底上，生长类石墨相氮化碳薄膜，即完成具有氮空位缺陷的类石墨相氮化碳薄膜。采用化学气相沉积设备(CVD)在ITO衬底上制备了高质量具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜样品，通过将两种前驱体混合的工艺获得了具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜，可以用于日后的光催化制、电催化相关器件的制备，具有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性高，具有一定的经济价值。

公开(公告)号：CN117646277A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202410050731.0

申请日：2024-01-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  梁雁彤 ,  郑金成 ,  邢欢 ,  杜颖 ,  鲁浩伟 ,  康俊勇

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 一种铜掺杂氧化锌单晶材料的制备方法，涉及半导体领域。包括以下步骤：1)将氧化锌单晶清洗后用氮气吹干，作为衬底；2)使用磁控溅射法在衬底表面制备一层铜膜；3)将步骤2)沉积薄膜后的衬底置于二维条状光斑连续激光腔内进行激光辐照，即完成制备铜掺杂氧化锌单晶材料。本发明采用一种可作为后处理过程的掺杂方法—激光诱导掺杂法，成功地实现了氧化锌单晶的铜掺杂，能有效地改变其光电性能，而且该方法简单易于操作、掺杂区域可控、掺杂浓度精准可控、直接写入一步完成，具有一定的经济价值。