公开(公告)号：CN119121400A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411235049.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴猛 ,  莫仕弟 ,  李嘉豪 ,  张泽峥 ,  马修益 ,  翁振翼 ,  刘无忌 ,  林伟南 ,  康俊勇

IPC: C30B29/22 ,  C30B23/06 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02

Abstract: 一种高质量La2NiMnO6单晶薄膜的生长方法，涉及半导体领域。在高温(900℃)但在低氧压(200mT)的生长条件下实现高质量的La2NiMnO6单晶薄膜生长，包括以下步骤：1)钛酸锶衬底在去离子水中超声清洗后，再使用蘸取酒精的棉签进行擦拭清洗；2)使用脉冲激光沉积方法在钛酸锶衬底表面沉积La2NiMnO6薄膜；3)将步骤2)沉积的La2NiMnO6薄膜置于高氧压的气体氛围中退火，即完成质量La2NiMnO6单晶薄膜的制备。采用一种脉冲激光沉积(PLD)生长方法加上退火处理，成功地实现了高质量的La2NiMnO6单晶薄膜制备。

公开(公告)号：CN117467973A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311459982.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  吴猛 ,  杜颖 ,  鲁浩伟 ,  康俊勇

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02

Abstract: 一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流中沉积于ITO衬底上，生长类石墨相氮化碳薄膜，即完成具有氮空位缺陷的类石墨相氮化碳薄膜。采用化学气相沉积设备(CVD)在ITO衬底上制备了高质量具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜样品，通过将两种前驱体混合的工艺获得了具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜，可以用于日后的光催化制、电催化相关器件的制备，具有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性高，具有一定的经济价值。