公开(公告)号：CN117646277A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202410050731.0

申请日：2024-01-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  梁雁彤 ,  郑金成 ,  邢欢 ,  杜颖 ,  鲁浩伟 ,  康俊勇

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 一种铜掺杂氧化锌单晶材料的制备方法，涉及半导体领域。包括以下步骤：1)将氧化锌单晶清洗后用氮气吹干，作为衬底；2)使用磁控溅射法在衬底表面制备一层铜膜；3)将步骤2)沉积薄膜后的衬底置于二维条状光斑连续激光腔内进行激光辐照，即完成制备铜掺杂氧化锌单晶材料。本发明采用一种可作为后处理过程的掺杂方法—激光诱导掺杂法，成功地实现了氧化锌单晶的铜掺杂，能有效地改变其光电性能，而且该方法简单易于操作、掺杂区域可控、掺杂浓度精准可控、直接写入一步完成，具有一定的经济价值。