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公开(公告)号：CN103335751B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310220870.5
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种双谐振子硅微压力传感器及其制作方法，涉及传感器。提供一种具有高品质因子、良好热匹配性和低残余应力的双谐振子硅微压力传感器及其制作方法。所述传感器由下至上依次设有应力隔离块、压力敏感座、谐振体、真空封装帽和电极。由于设有双谐振子，双谐振子在工作时两者反向振动，使谐振结构在振动时有固定的重心，沿每个支承连接轴线的力矩总和为零，每个振动周期消耗的能量会大大减小，谐振结构的品质因子得到较大提高。硅材料的使用使整个传感器主体结构的热膨胀相匹配，大大降低了谐振频率的温度系数，为传感器获得高测量精度奠定基础。由于在压力敏感座底部设有带导气孔的应力隔离块，显著降低了封装过程中产生的残余应力。
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公开(公告)号：CN103318838A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310197201.0
申请日：2013-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法，涉及一种微器件真空封装方法。在玻璃片背面上加工出凹槽、通孔，然后在凹槽上溅射吸气剂薄膜；在SOI或SOG片上加工出梯形槽、谐振结构和微流道；将玻璃片与SOI或SOG片键合在一起形成组合片；在组合片中的通孔侧壁以及孔底未键合硅面处溅射电极和凸点下金属层；将键合后的圆片置于喷射点胶机中，在通孔结构上喷印金属焊球；将喷印有焊球的组合片置于真空键合机中，抽真空并加热，使腔室内气体通过微流道被抽走，焊料回流，并通过键合机对组合片施加压力，键合机上盘采用玻璃盖板，保证焊料不流出通孔外，融化后的焊料挤入到微流道中将通孔结构和微流道密封，实现MEMS器件的真空封装。
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公开(公告)号：CN103193197B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310112200.1
申请日：2013-04-02
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法，涉及一种微机电系统传感器与制动器。提供一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法。1）将玻璃片与硅片键合在一起，形成硅/玻璃组合片以及中间的牺牲氧化层；2）将步骤1）得到的硅/玻璃组合片的硅片减薄并抛光；3）在减薄后的硅片上刻蚀出可动结构；4）将硅/玻璃组合片置于氢氟酸溶液中，腐蚀可动结构底部的牺牲氧化层，使刻蚀结构与玻璃片分离，得到基于硅/玻璃阳极键合的可动结构。制备的硅层厚度均匀性更高；工艺更为简单、成本低廉，是一种有应用前景的MEMS可动结构制备工艺。
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公开(公告)号：CN103318838B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310197201.0
申请日：2013-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法，涉及一种微器件真空封装方法。在玻璃片背面上加工出凹槽、通孔，然后在凹槽上溅射吸气剂薄膜；在SOI或SOG片上加工出梯形槽、谐振结构和微流道；将玻璃片与SOI或SOG片键合在一起形成组合片；在组合片中的通孔侧壁以及孔底未键合硅面处溅射电极和凸点下金属层；将键合后的圆片置于喷射点胶机中，在通孔结构上喷印金属焊球；将喷印有焊球的组合片置于真空键合机中，抽真空并加热，使腔室内气体通过微流道被抽走，焊料回流，并通过键合机对组合片施加压力，键合机上盘采用玻璃盖板，保证焊料不流出通孔外，融化后的焊料挤入到微流道中将通孔结构和微流道密封，实现MEMS器件的真空封装。
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公开(公告)号：CN103420330B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310409343.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，涉及微器件封装工艺。提供基于气浮沉积技术，可实现各种形状通孔互联的一种适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，所述适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法包括适用于微机电系统中微器件圆片级封装前通孔金属互联的制作方法或适用于微机电系统中微器件圆片级封装后通孔金属互联的制作方法。可克服现有圆片级封装过程中，通孔底部普遍存在影响电学可靠性的崩边现象，以及带有通孔结构晶圆表面难以图案化等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103420330A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310409343.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，涉及微器件封装工艺。提供基于气浮沉积技术，可实现各种形状通孔互联的一种适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，所述适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法包括适用于微机电系统中微器件圆片级封装前通孔金属互联的制作方法或适用于微机电系统中微器件圆片级封装后通孔金属互联的制作方法。可克服现有圆片级封装过程中，通孔底部普遍存在影响电学可靠性的崩边现象，以及带有通孔结构晶圆表面难以图案化等问题。
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公开(公告)号：CN103335751A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310220870.5
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种双谐振子硅微压力传感器及其制作方法，涉及传感器。提供一种具有高品质因子、良好热匹配性和低残余应力的双谐振子硅微压力传感器及其制作方法。所述传感器由下至上依次设有应力隔离块、压力敏感座、谐振体、真空封装帽和电极。由于设有双谐振子，双谐振子在工作时两者反向振动，使谐振结构在振动时有固定的重心，沿每个支承连接轴线的力矩总和为零，每个振动周期消耗的能量会大大减小，谐振结构的品质因子得到较大提高。硅材料的使用使整个传感器主体结构的热膨胀相匹配，大大降低了谐振频率的温度系数，为传感器获得高测量精度奠定基础。由于在压力敏感座底部设有带导气孔的应力隔离块，显著降低了封装过程中产生的残余应力。
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公开(公告)号：CN102809450A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210282401.1
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法，涉及一种压力传感器。提供一种基于滑膜阻尼和双压力膜结构的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极，所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连，压力敏感层上部边框内设有两个压力膜并形成两个放置平行硅岛的空腔，硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连，两个空腔之间具有沟道，使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间，谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连，盖帽层下部边框内形成空腔，真空封装盖帽层上开有引线孔，引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
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公开(公告)号：CN103145093B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310085087.2
申请日：2013-03-18
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种具有高深宽比梳齿间隙硅微惯性器件的制备方法，涉及微惯性器件。提供简单、可保证电学特性且成本低的一种具有高深宽比梳齿间隙硅微惯性器件的制备方法。加工梳状结构的硅微惯性器件半成品主体结构；加工与硅微惯性器件半成品主体结构配合的带凹槽的封装盖；制备高深宽比的梳齿间隙；制备硅微惯性器件成品。先将原本的固定梁制备成悬浮梁，然后通过施加反向电压，在静电吸合的作用下，使悬浮梁移动定位，自热形成高深宽比梳齿间隙。简单易操作，而且加工中所需的刻蚀、键合等工艺已非常成熟，不需要高精密的刻蚀仪器或者繁杂的沉积方法就可以获得高深宽比的梳齿间隙，而且因为不需要重复刻蚀等步骤，梳齿间隙的均匀性可以很好地保证。
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公开(公告)号：CN102809450B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210282401.1
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法，涉及一种压力传感器。提供一种基于滑膜阻尼和双压力膜结构的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极，所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连，压力敏感层上部边框内设有2个压力膜并形成2个放置平行硅岛的空腔，硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连，2个空腔之间具有沟道，使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间，谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连，盖帽层下部边框内形成空腔，真空封装盖帽层上开有引线孔，引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
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