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公开(公告)号：CN112967830B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110139626.0
申请日：2021-02-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。
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公开(公告)号：CN114713560A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210344640.9
申请日：2022-03-31
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: B08B3/12
Abstract: 本发明涉及放射源制备技术领域，提供一种放射源元件自动清洗装置及清洗方法，放射源元件自动清洗装置包括壳体、多个储液槽、干燥组件、转运组件和卡篮；壳体形成有容纳腔，壳体的侧壁形成有连通于容纳腔的开口，开口处活动连接有柜门，容纳腔的腔底形成操作平台；多个储液槽设置在操作平台上，储液槽的顶部连通于容纳腔；干燥组件设置在容纳腔内，且位于多个储液槽的一侧；转运组件设置在容纳腔内，且连接于容纳腔的腔壁；卡篮连接于转运组件，卡篮适于放置放射源元件。放射源元件的整个清洗过程自动化完成，不需要人工参与，可以使放射源元件的清洗效果均一，提高了清洗效率，避免了辐射风险以及化学试剂的侵蚀，安全性高，清洗质量有保障。
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公开(公告)号：CN109994243A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910264531.4
申请日：2019-04-03
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: G21G4/06
Abstract: 本发明涉及一种放射源及其制备方法，属于放射源制备技术领域。本发明提供的一种放射源的制备方法包括：在有机溶剂中加入碳酸盐粉末，搅拌后得到分布均匀的碳酸盐粉末悬浊液，其中碳酸盐中的碳元素为碳14；取预定体积的碳酸盐粉末悬浊液和至少一吸附膜，并将所取预定体积的碳酸盐粉末悬浊液均匀涂抹到吸附膜上，以形成放射源载体；取至少一有机膜与镀铝PET薄膜，将放射源载体密封在有机膜与镀铝PET薄膜之间，以形成源片；取至少一放射源壳体，将源片封装于放射源外壳中，即形成放射源。本发明的制备方法简单、放射性核素利用率高、安全可靠。解决了β射线自吸收大、原料不易混合均匀、密封膜晃动等问题。
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公开(公告)号：CN117468072A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311521541.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明电沉积设备技术领域，提供一种放射源电沉积装置。放射源电沉积装置包括槽体、阴极组件；槽体包括第一构成部和第二构成部，第一构成部和第二构成部可拆卸连接，第一构成部和第二构成部中的至少一者的设置有顶部开口的第一凹槽，第一凹槽通过固定支架放置有阳电极，第一构成部和第二构成部相接位置设置有第二凹槽和电沉积液接触孔，电沉积液接触孔连通第二凹槽和第一凹槽，电沉积液接触孔与第二凹槽连接位置形成限位台阶；阴极组件设置在第二凹槽内，限位台阶对阴极组件形成限位。本发明可将模块化的阴极组件限位在第二凹槽内，将第一构成部和第二构成部拆开后，方便更换阴极组件进行第二次电沉积，具有拆装方便，生产效率高的优势。
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公开(公告)号：CN113083743A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110357035.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种放射源全自动检测装置及检测方法，其中放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119119844A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411151293.3
申请日：2024-08-21
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: C09D175/04 , C09D7/61 , C09D7/63 , G01N15/06
Abstract: 本发明涉及放射源制备技术领域，具体公开了一种放射源及其制备方法与应用。本发明的制备放射源的方法包括：（1）配置有机膜的原料液；所述原料液包括Ba14CO3、丙酮、乙二醇异辛醚和油性聚氨酯；Ba14CO3与丙酮的质量体积比为1：（7‑13）g/mL；丙酮与油性聚氨酯的体积比为（0.8‑1.2）：1；Ba14CO3与乙二醇异辛醚的质量比为1：（0.4‑0.6）；（2）将所述原料液旋涂在放射源壳体的发射窗内，固化形成有机膜；（3）在所述有机膜上覆盖镀铝膜，并将所述镀铝膜固定在所述放射源壳体中。本发明的放射源制备简便，发射率高、均匀性佳。
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公开(公告)号：CN116463699A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310360628.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明涉及精密器件技术领域，具体为一种α仪表刻度源及其制备方法，采用电镀沉积法制备，所述电镀沉积法的电镀液包括异丙醇、饱和KCl溶液、饱和H3BO3溶液和放射性料液。本发明通过在电镀液中添加饱和氯化钾溶液和饱和H3BO3溶液，实现了快速电镀，电镀时间短，电镀液不会发生沸腾，减少了工作人员受到的辐射剂量。而且，所得α仪表刻度源的牢固性和均匀性好，沉积率高，适宜工业化应用。
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公开(公告)号：CN111962106A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010781388.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: C25D3/12
Abstract: 本发明属于放射源制备技术领域，涉及一种63Ni放射源及其制备方法。所述63Ni放射源的制备方法包括将衬底表面清洗干净之后置于电镀液中进行电镀，以在衬底上形成63Ni放射源层，所述电镀液中含有63NiCl2、三氯化铈、pH值缓冲剂和导电盐且余量为水。采用本发明提供的方法制备63Ni放射源，不仅能够提高衬底与放射源层的结合度，改善放射源层的稳定性，而且还具有很好的重复性，能够降低工业生产过程中的操作难度，易于批量生产，满足社会对63Ni纯β放射源的需求。
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公开(公告)号：CN118248372A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410082456.0
申请日：2024-01-19
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明涉及放射设备技术领域，尤其涉及一种α仪表刻度源及其制备方法。该α仪表刻度源包括源芯以及源壳；其中，所述源芯包括依次层叠设置的PET膜、EVA热熔胶层、种子相层、润湿层和核素晶体层。本发明还提供所述α仪表刻度源的制备方法。该方法工艺简单。本发明提供的α仪表放射源具有核素的普适性好、工作人员受到的辐射剂量小等优点。
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公开(公告)号：CN117809879A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311572501.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: G21G4/06
Abstract: 本发明涉及β放射源制备技术领域，尤其涉及一种β平面源及其制备方法。该方法包括将含有核素的标准溶液加入底部放置有PET膜的蒸发槽中，进行水浴加热使蒸发槽中的溶液蒸干，得到覆有核素的PET膜，在所述覆有核素的PET膜上放置EVA膜，然后在所述EVA膜上放置铝箔，进行热封，得到源芯，将所述源芯安装在源壳中，得到β平面源。本发明提供能够制备不同规格β平面源的新方法，该方法制备放射源对核素的普适性好，制备的β平面源具有β粒子损失小，牢固性高，均匀性好等优点。
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