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公开(公告)号：CN112967830B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110139626.0
申请日：2021-02-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。
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公开(公告)号：CN113083743A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110357035.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种放射源全自动检测装置及检测方法，其中放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
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公开(公告)号：CN113083743B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110357035.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种放射源全自动检测装置及检测方法，其中放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
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公开(公告)号：CN112967830A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110139626.0
申请日：2021-02-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种β平面源制备方法和一种β平面源。制备方法包括：对金属托片进行氧化处理，形成氧化膜；使用放射性料液填充所述金属托片的氧化膜，令所述放射性料液中的放射性金属离子进入所述氧化膜的孔洞；使用含硅凝胶封闭所述金属托片的氧化膜孔洞，阻止所述放射性金属离子渗出。本申请将金属托片氧化形成氧化膜，利用氧化膜填充放射性料液的方式实现放射性料液的吸附，并且，采用含硅凝胶封闭金属托片的氧化膜孔洞，从而阻止放射性金属离子泄漏，使制得的β平面源放射性粒子吸附牢固，使用效果更佳、寿命更长。
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公开(公告)号：CN111962106A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010781388.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 原子高科股份有限公司
IPC: C25D3/12
Abstract: 本发明属于放射源制备技术领域，涉及一种63Ni放射源及其制备方法。所述63Ni放射源的制备方法包括将衬底表面清洗干净之后置于电镀液中进行电镀，以在衬底上形成63Ni放射源层，所述电镀液中含有63NiCl2、三氯化铈、pH值缓冲剂和导电盐且余量为水。采用本发明提供的方法制备63Ni放射源，不仅能够提高衬底与放射源层的结合度，改善放射源层的稳定性，而且还具有很好的重复性，能够降低工业生产过程中的操作难度，易于批量生产，满足社会对63Ni纯β放射源的需求。
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公开(公告)号：CN214623061U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202120670530.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种放射源全自动检测装置，该放射源全自动检测装置包括工作台、抓取系统、探测器、待测源盘和控制系统，抓取系统、探测器和待测源盘设置在工作台上；其中，待测源盘用于放置多个所述放射源；抓取系统用于抓取放置在所述待测源盘上的各所述放射源，实现各所述放射源的移动，包括将检测合格的所述放射源送回所述待测源盘上；探测器用于检测抓取系统抓取到所述探测器上方的各放射源；控制系统用于控制抓取系统和/或探测器。上述技术方案提高了检测效率，避免了人员受到辐射的影响。
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公开(公告)号：CN214624459U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202120296157.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种β平面源，该β平面源包括：基材托片和封堵层；基材托片的至少部分表面经过氧化，形成有氧化膜区域，氧化膜区域填充有放射性材料；封堵层用于阻止放射性材料渗出，覆盖在基材托片的氧化膜区域表面。本申请的β平面源，在使用基材托片的氧化膜区域吸附填充有放射性材料的基础上，设置封堵层，覆盖在氧化膜区域之上，以此阻止放射性材料渗出，从而提高了β平面源的使用寿命和检测效果。
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公开(公告)号：CN213417033U
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202021531339.1
申请日：2020-07-29
Applicant: 原子高科股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于制备63Niβ源的四孔电沉积槽装置，其包括电沉积槽槽体、阳极丝、底座、阴极导出垫片、橡胶垫片、沉积源片以及沉积源垫片；本方案的四孔电沉积槽通过将电沉积槽槽体和底座构成相互卡紧连接的结构形式，其在使用和拆卸时都极为方便；同时在电沉积槽槽体内腔底端设置有四个电沉积槽，其能够一次能够得到四枚放射源，大大提高了Ni‑63β源的生产效率；此外通过将沉积源垫片、沉积源片以及橡胶垫片通过螺丝锁紧安装在底座内腔中，能够有效防止沉积液泄露，保证电沉积作业的顺利进行。
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