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公开(公告)号:CN100466181C
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN02818498.X
申请日:2002-07-25
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , Y10S977/724 , Y10S977/742 , Y10S977/796 , Y10S977/856 , Y10S977/888 , Y10S977/943 , Y10T428/24893 , Y10T428/24917
Abstract: 揭示了机电式电路,如存储单元,及其制法。所述电路包括由电导轨线和从基质表面延伸的支持构成的结构,以及由穿过电导轨线的支持悬置的纳米管带子,其中各个带子包括一个或多个纳米管。所述机电式电路元件可由具有电导轨线和支持的结构制成,其中的支持从基质表面延伸。在支持上有一层纳米管,并选择性除去纳米管层的某些部分,形成穿过电导轨线的纳米管带子。每个带子包括一个或多个纳米管。
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公开(公告)号:CN1557016A
公开(公告)日:2004-12-22
申请号:CN02818498.X
申请日:2002-07-25
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , Y10S977/724 , Y10S977/742 , Y10S977/796 , Y10S977/856 , Y10S977/888 , Y10S977/943 , Y10T428/24893 , Y10T428/24917
Abstract: 揭示了机电式电路,如存储单元,及其制法。所述电路包括由电导轨线和从基质表面延伸的支持构成的结构,以及由穿过电导轨线的支持悬置的纳米管带子,其中各个带子包括一个或多个纳米管。所述机电式电路元件可由具有电导轨线和支持的结构制成,其中的支持从基质表面延伸。在支持上有一层纳米管,并选择性除去纳米管层的某些部分,形成穿过电导轨线的纳米管带子。每个带子包括一个或多个纳米管。
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公开(公告)号:CN1556996B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN02818506.4
申请日:2002-07-25
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , H01L27/1203 , H01L29/413 , H01L51/0048 , H01L51/444 , H01L2221/1094 , Y10S977/75 , Y10S977/778 , Y10S977/843 , Y10S977/857 , Y10S977/888
Abstract: 揭示了纳米管膜和制品及其制造方法。一种导电制品(1800)包括纳米管段的聚集,其中纳米管段(1802)和其它纳米管段(101)相互接触,形成沿着制品的许多导电通路。这些纳米管段(1802)可以是单壁的碳纳米管,也可以是多壁的碳纳米管。不同的段可以有不同的长度,同时其长度还可以短于制品的长度。如此形成的制品可沉积在基片上,并可在所述制品内部形成纳米管的导电网络。
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公开(公告)号:CN1556996A
公开(公告)日:2004-12-22
申请号:CN02818506.4
申请日:2002-07-25
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01H1/0094 , H01L21/76838 , H01L27/10 , H01L27/1203 , H01L29/413 , H01L51/0048 , H01L51/444 , H01L2221/1094 , Y10S977/75 , Y10S977/778 , Y10S977/843 , Y10S977/857 , Y10S977/888
Abstract: 揭示了纳米管膜和制品及其制造方法。一种导电制品(1800)包括纳米管段的聚集,其中纳米管段(1802)和其它纳米管段(101)相互接触,形成沿着制品的许多导电通路。这些纳米管段(1802)可以是单壁的碳纳米管,也可以是多壁的碳纳米管。不同的段可以有不同的长度,同时其长度还可以短于制品的长度。如此形成的制品可沉积在基片上,并可在所述制品内部形成纳米管的导电网络。
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